[发明专利]具有ZnO透明电极的发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

发光结构体，包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；以及

ZnO透明电极，位于所述第二导电型半导体层上，并与所述第二导电型半导体层欧姆接触，且包括单晶ZnO，

其中，通过X射线衍射ω2θ扫描的所述ZnO透明电极的峰的衍射角处于通过X射线衍射ω2θ扫描的所述第二导电型半导体层的峰的衍射角的±1％范围内，且通过X射线衍射ω扫描的所述ZnO透明电极的主峰的半宽为900arcsec以下，

其中，所述ZnO透明电极包括ZnO籽晶层以及位于所述ZnO籽晶层上的ZnO本体层，

其中，所述ZnO本体层具有所述ZnO透明电极的厚度的90％以上且小于100％的厚度。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中，

通过X射线衍射ω2θ扫描的所述ZnO透明电极的峰的衍射角处于通过X射线衍射ω2θ扫描的所述第二导电型半导体层的峰的衍射角的±0.5％范围内。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中，

通过X射线衍射ω扫描的所述ZnO透明电极的主峰的半宽为870arcsec以下。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中，

所述ZnO透明电极具有800nm以上的厚度。

5.如权利要求1所述的发光元件，其中，

所述ZnO籽晶层包括未掺杂的ZnO，

所述ZnO本体层包括利用包含银、铟、锡、锌、镉、镓、铝、镁、钛、钼、镍、铜、金、铂、铑、铱、钌及钯中的至少一种的掺杂剂掺杂的单晶ZnO。

6.如权利要求1所述的发光元件，其中，

所述ZnO透明电极包括多个空隙。

7.如权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第二导电型半导体层具有C面的生长面，且所述ZnO透明电极的单晶ZnO具有纤维锌矿结晶结构。

8.一种发光元件制造方法，包括如下步骤：

形成发光结构体，所述发光结构体包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；以及

形成ZnO透明电极，所述ZnO透明电极在所述第二导电型半导体层上与所述第二导电型半导体层欧姆接触，

其中，通过X射线衍射ω2θ扫描的所述ZnO透明电极的峰的衍射角处于通过X射线衍射ω2θ扫描的所述第二导电型半导体层的峰的衍射角的±1％范围内，且通过X射线衍射ω扫描的所述ZnO透明电极的主峰的半宽为900arcsec以下，

其中，形成所述ZnO透明电极的步骤包括如下步骤：

在所述第二导电型半导体层上形成ZnO籽晶层；以及

在所述ZnO籽晶层上将所述ZnO籽晶层作为种子形成ZnO本体层，

其中，所述ZnO本体层具有所述ZnO透明电极的厚度的90％以上且小于100％的厚度。

9.如权利要求8所述的发光元件制造方法，其中，

形成所述ZnO籽晶层的步骤包括如下步骤：

利用旋转涂覆法在所述第二导电型半导体层上形成ZnO层；以及

对所述ZnO层进行热处理，

其中，所述ZnO籽晶层与所述第二导电型半导体层欧姆接触。

10.如权利要求8所述的发光元件制造方法，其中，

形成所述ZnO本体层的步骤包括如下步骤：

利用水热合成法在所述ZnO籽晶层上形成单晶ZnO；以及

对所述单晶ZnO进行热处理。

11.如权利要求10所述的发光元件制造方法，其中，

形成所述ZnO本体层的步骤包括如下步骤：

在所述ZnO本体层内形成多个空隙。