[发明专利]金属浮栅在非易失性存储器中的集成在审
| 申请号： | 201680064218.0 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN108292516A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | F.周;X.刘;J-W.杨;N.杜 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L21/336;H01L21/8239;H01L29/778;H01L29/788 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元包括硅衬底、形成在所述硅衬底中的源极区和漏极区（其中所述衬底的沟道区被限定在所述源极区与所述漏极区之间）、设置在所述沟道区的第一部分上方并且与所述沟道区的第一部分绝缘的金属浮栅、设置在所述金属浮栅上方并且与所述金属浮栅绝缘的金属控制栅、设置在所述源极区上方并且与所述源极区绝缘的多晶硅擦除栅、以及设置在所述沟道区的第二部分上方并且与所述沟道区的第二部分绝缘的多晶硅字线栅。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道区 金属浮栅 源极区 绝缘 非易失性存储器单元 硅衬底 漏极区 非易失性存储器 多晶硅字线 成本发明 擦除栅 多晶硅 控制栅 衬底 金属 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器单元，包括：硅衬底；源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区形成在所述硅衬底中，其中所述衬底的沟道区限定在所述源极区与所述漏极区之间；金属浮栅，所述金属浮栅设置在所述沟道区的第一部分上方并且与所述沟道区的第一部分绝缘；金属控制栅，所述金属控制栅设置在所述金属浮栅上方并且与所述金属浮栅绝缘；多晶硅擦除栅，所述多晶硅擦除栅设置在所述源极区上方并且与所述源极区绝缘；以及多晶硅字线栅，所述多晶硅字线栅设置在所述沟道区的第二部分上方并且与所述沟道区的第二部分绝缘。
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