[发明专利]用于制造半导体纳米结构的平坦的自由接触面的方法有效
| 申请号： | 201680063910.1 | 申请日： | 2016-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN109075189B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | S.黑特;J.格哈茨;T.舍珀斯;D.格吕茨马歇尔 | 申请（专利权）人： | 于利奇研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/775;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姬亚东;刘春元 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造半导体纳米结构的平坦的自由接触面的方法，其中至少一个纳米结构（2）布置在起始衬底（1）的表面上，在所述转移衬底的（1）的相同表面上施加第一层（3），所述第一层将所述至少一个纳米结构（2）嵌入，并且将第二衬底（5）施加到所述第一层（3）上，其中随后将所述转移衬底（1）与所述第一层（3）分离，使得至少一个嵌入其中的纳米结构（2）具有平坦的自由表面。根据本发明，在将所述至少一个纳米结构（2）施加到所述转移衬底（1）上之前将可通过溶剂溶解的附加层（6）施加到所述转移衬底（1）的表面上，并且借助溶剂将所述转移衬底（1）与所述第一层（3）分离。通过该方式能够实现纳米结构的平坦化/堆叠和随后变得容易的电接触。在迭代应用方法步骤的情况下，可以有利地构建例如由水平定向的纳米线网络构成的多重层（图5B）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 纳米 结构 平坦 自由 接触面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于平坦化纳米结构的方法，‑ 其中至少一个纳米结构（2）布置在起始衬底（1）的表面上，‑ 其中在所述起始衬底的（1）的相同表面上施加第一层（3），所述第一层将所述至少一个纳米结构（2）嵌入，‑ 并且其中将目标衬底（5）施加到所述第一层（3）上，‑ 其中随后，将所述起始衬底（1）与所述第一层（3）分离，使得至少一个嵌入其中的纳米结构（2）具有平坦的自由表面，其特征在于：‑ 在将所述至少一个纳米结构（2）施加到所述起始衬底（1）上之前将附加层（6）施加到所述起始衬底（1）的表面上，‑ 并且借助溶剂将所述起始衬底（1）与所述第一层（3）分离。
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