[发明专利]用于制造半导体纳米结构的平坦的自由接触面的方法

权利要求书

1.一种用于制造具有嵌入的可接触的纳米结构的平坦的自由面的方法，

- 其中至少一个纳米结构（2）布置在起始衬底（1）的表面上，

- 其中在所述起始衬底的（1）的相同表面上施加第一层（3），所述第一层将所述至少一个纳米结构（2）嵌入，

- 并且其中将目标衬底（5）施加到所述第一层（3）上，

- 其中随后，将所述起始衬底（1）与所述第一层（3）分离，使得至少一个嵌入其中的纳米结构（2）具有平坦的自由表面，

其特征在于：

- 在将所述至少一个纳米结构（2）施加到所述起始衬底（1）上之前将附加层（6）施加到所述起始衬底（1）的表面上，其中所述附加层（6）具有可溶解于溶剂中的材料，

- 并且借助溶剂将所述起始衬底（1）与所述第一层（3）无损分离。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中使用包括第四化学主族的元素半导体、第三和第五化学主族的化合物半导体或第二和第六化学主族的化合物半导体的纳米结构（2）。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述目标衬底（5）经由第二层（4）施加到所述第一层（3）上。

4.根据前述权利要求3所述的方法，

其中所述第二层（4）包含氢倍半硅氧烷（HSQ）。

5.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述附加层（6）包括聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA），由甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸构成的共聚物（PMMA / MA）或光学光刻胶。

6.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述附加层（6）以多个步骤施加到起始衬底（1）的表面上。

7.根据权利要求1或2所述的方法，

其中在施加所述至少一个纳米结构（2）之前，首先对所述附加层（6）进行温度处理。

8.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，将所述至少一个纳米结构（2）嵌入的第一层（3）包括可旋涂的玻璃或可流动的氧化物。

9.根据前述权利要求8所述的方法，

其中所述可流动的氧化物是氢倍半硅氧烷（HSQ）。

10.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，将所述纳米结构（2）嵌入的第一层（3）首先借助光刻选择性显影和结构化，之后将目标衬底（5）施加到所述结构化的层上。

11.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述起始衬底（1）与第一层（3）的分离利用具有丙酮的溶剂或环戊酮或二甲基亚砜进行。

12.根据权利要求1或2所述的方法，

其中外延地产生所述纳米结构。

13.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述纳米结构在所述起始衬底上的布置借助于包括所述纳米结构的分散体或通过微操纵器进行。

14.根据权利要求1或2所述的方法，

其中将纳米线或由连接的纳米线构成的网络作为纳米结构来布置。

15.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所得到的具有所述第一层（3）和所述至少一个嵌入其中的纳米结构（2）的目标衬底（5）随后在根据权利要求1所述的方法中作为目标衬底使用，使得能够产生具有所嵌入的纳米结构的多个相叠布置的层的系统，其中所述纳米结构能够通过垂直通孔接触连接。