[发明专利]具有优化有源表面的微电子二极管有效
| 申请号： | 201680061766.8 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN108140701B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 休伯特·波诺;乔纳森·加西亚;伊凡-克里斯托夫·罗宾 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 杨雅;姚开丽 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种二极管(102)，包括：形成p‑n结的第一掺杂半导体部位和第二掺杂半导体部位，第一部位(126)的第一部分(124)布置在第一部位(126)的第二部分(132)和第二部位(120)之间；介电部位(130)，该介电部位(130)覆盖第二部位(120)的侧壁和第一部位(126)的第一部分(124)的侧壁；第一电极(142)，该第一电极抵靠介电部位的外侧壁以及抵靠第一部位的第二部分的侧壁(134)而布置，仅通过与所述侧壁接触而电连接到第一部位，并且穿过第一部位的整个厚度；第二光学反射电极(144)，该第二光学反射电极电连接到第二部位，使得第二部位布置在第二电极和第一部位之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 优化 有源 表面 微电子 二极管 | ||
【主权项】：
一种光发射或光接收二极管(102)，至少包括：形成p‑n结的掺杂的第一半导体部分和掺杂的第二半导体部分(120，126)，所述第一半导体部分(126)的第一部分(124)布置在所述第一半导体部分(126)的第二部分(132)和所述第二半导体部分(120)之间；介电部分(130)，所述介电部分覆盖所述第二半导体部分(120)的侧壁和所述第一半导体部分(126)的所述第一部分(124)的侧壁；第一电极(142)，所述第一电极抵靠所述介电部分(130)的外侧壁以及抵靠所述第一半导体部分(126)的所述第二部分(132)的侧壁(134)而布置，所述第一电极仅通过与所述第一半导体部分(126)的所述第二部分(132)的所述侧壁(134)接触而电连接到所述第一半导体部分(126)，并且穿过所述第一半导体部分(126)的整个厚度；光学反射的第二电极(144)，所述第二电极电连接到所述第二半导体部分(120)，使得所述第二半导体部分(120)布置在所述第二电极(144)和所述第一半导体部分(126)之间；其中，意图由所述二极管(102)通过所述第一半导体部分(126)来发射或接收光。
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