[发明专利]具有优化有源表面的微电子二极管

权利要求书

1.一种光发射或光接收的二极管(102)，至少包括：

形成p-n结的掺杂的第一半导体部分和掺杂的第二半导体部分(120，126)，所述第一半导体部分(126)的第一部分(124)布置在所述第一半导体部分(126)的第二部分(132)和所述第二半导体部分(120)之间；

介电部分(130)，所述介电部分覆盖所述第二半导体部分(120)的侧壁和所述第一半导体部分(126)的所述第一部分(124)的侧壁；

第一电极(142)，所述第一电极抵靠所述介电部分(130)的外侧壁以及抵靠所述第一半导体部分(126)的所述第二部分(132)的侧壁(134)而布置，所述第一电极仅通过与所述第一半导体部分(126)的所述第二部分(132)的所述侧壁(134)接触而电连接到所述第一半导体部分(126)，并且穿过所述第一半导体部分(126)的整个厚度；

光学反射的第二电极(144)，所述第二电极电连接到所述第二半导体部分(120)，使得所述第二半导体部分(120)布置在所述第二电极(144)和所述第一半导体部分(126)之间；

其中，意图由所述二极管(102)通过所述第一半导体部分(126)来发射或接收光，

其中，所述介电部分(130)的所述外侧壁与所述第一半导体部分(126)的所述第二部分(132)的所述侧壁(134)对齐。

2.根据权利要求1所述的二极管(102)，还包括介电掩模(118)，使得所述第二电极(144)的第一部分(119)布置在所述介电掩模(118)与所述第二半导体部分(120)之间，并且使得所述第二电极(144)的至少一个第二部分布置在穿过所述介电掩模(118)的至少一个开口(136)中，并且使得所述介电部分(130)覆盖所述介电掩模(118)的侧壁。

3.根据权利要求2所述的二极管(102)，其中，所述介电掩模(118)的顶面、所述介电部分(130)的顶面以及所述第一电极和第二电极(142，144)的顶面共同形成所述二极管(102)的基本上平坦的连续表面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的二极管(102)，其中，所述第一半导体部分(126)包括按照不同导电水平掺杂的至少两个半导体(108，110)的堆叠。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的二极管(102)，其中，所述第一半导体部分(126)的厚度在2μm至4μm的范围内。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的二极管(102)，其中，所述二极管(102)是光电二极管或发光二极管LED。

7.根据权利要求6所述的二极管(102)，其中，所述光电二极管包括在所述第一半导体部分和所述第二半导体部分(120，126)之间布置的至少一个本征半导体部分，并且使得所述本征半导体部分的侧壁被所述介电部分(130)覆盖，或其中，所述LED包括在所述第一半导体部分和所述第二半导体部分(120，126)之间布置的至少一个量子阱处的至少一个有源发射区域(122)，并且使得所述有源发射区域(122)的侧壁被所述介电部分(130)覆盖。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的二极管(102)，还包括互连衬底(148)，在所述互连衬底上布置所述二极管，并且所述二极管(102)的所述第一电极和所述第二电极(142，144)电连接到所述互连衬底。

9.一种电子设备(100)，所述电子设备包括多个根据权利要求1至3中任一项所述的二极管(102)，其中，第一电极(142)中的每个电极还仅通过与至少一个相邻二极管(102)的第一半导体部分(126)的第二部分(132)的侧壁(134)接触而电连接到所述至少一个相邻二极管(102)的所述第一半导体部分(126)。

10.根据权利要求9所述的电子设备(100)，其中，所述二极管(102)属于形成所述电子设备(100)的像素阵列的类似结构的二极管(102)的阵列。