[发明专利]带有隔离阴极的光电二极管阵列

摘要

本发明涉及一种光电二极管阵列以及其制造方法，所述阵列包括：磷化铟衬底(4)，在所述衬底(4)上的铟镓砷有源层(5)，位于所述衬底(4)与所述有源层(5)之间的埋入区域(8)，在所述有源层(5)上的由磷化铟制成的上层(6)，由掺杂区域(12)制成的光电二极管阳极；所述掺杂区域(12)从所述上层(6)延伸进入所述有源层(5)，而不接触所述埋入区域(8)，所述掺杂区域(12)限定出多个上层(6)的阴极区域(13)，所述阴极区域(13)通过所述掺杂区域(12)而相互隔离。

主权项

一种光电二极管阵列，包括：‑磷化铟衬底(4)；‑铟镓砷InGaAs有源层(5)，其在所述磷化铟衬底(4)上，并具有第一类型的导电性；‑磷化铟上层(6)，其在所述有源层(5)上，并具有第一类型的导电性；‑埋入区域(8)，其通过第二类型的掺杂而得到限定，位于所述衬底(4)与所述有源层(5)之间的界面处；其特征在于：所述阵列包括光电二极管阵列共用的阳极，所述阳极通过在所述有源层(5)中和所述上层(6)中的第二类型的掺杂区域(12)而形成，所述掺杂区域(12)从所述上层(6)延伸直到进入所述有源层(5)中，而不接触所述埋入区域(8)，所述掺杂区域(12)与所述埋入区域(8)通过所述有源层(5)而以非零距离(d1)分隔，在上层(6)中，所述掺杂区域(12)界定出若干没有进行第二类型掺杂的阴极区域(13)，所述阴极区域(13)中的每个连续地通过所述掺杂区域(12)而与其它阴极区域(13)分开。