[发明专利]固体摄像元件、固体摄像元件制造方法和电子设备有效

专利信息
申请号: 201680060919.7 申请日: 2016-10-13
公开(公告)号: CN108140662B 公开(公告)日: 2023-01-17
发明(设计)人: 伊东恭佑 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 瓮芳;陈桂香
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本技术涉及:能够抑制FD存储型传感器中的FD发生结漏和扩散泄漏的固体摄像元件、用于制造固体摄像元件的方法;以及电子设备。固体摄像元件包括:光电二极管,所述光电二极管根据入射光的光量进行光电转换;光电转换膜,所述光电转换膜根据入射光的光量进行光电转换;扩散层,所述扩散层存储由所述光电转换膜的光电转换生成的电荷,并且所述扩散层具有不同于所述光电二极管的第一极性的第二极性;以及杂质层,所述杂质层由具有所述第一极性的杂质形成。所述光电二极管和所述扩散层并排布置在同一基板中;并且所述杂质层布置在所述扩散层下方。本技术适用于固体摄像元件。
搜索关键词: 固体 摄像 元件 制造 方法 电子设备
【主权项】:
固体摄像元件,其包括:光电二极管,所述光电二极管基于入射光的光量进行光电转换;光电转换膜,所述光电转换膜基于入射光的光量进行光电转换;扩散层,所述扩散层具有第二极性,并且所述扩散层存储由所述光电转换膜的光电转换产生的电荷,所述第二极性不同于所述光电二极管拥有的第一极性;以及杂质层,所述杂质层包含具有所述第一极性的杂质,其中,所述光电二极管和所述扩散层以彼此平行的方式设置在同一基板内,并且所述杂质层设置在所述扩散层下方。
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