[发明专利]固体摄像元件、固体摄像元件制造方法和电子设备有效
| 申请号： | 201680060919.7 | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN108140662B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 伊东恭佑 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 瓮芳;陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 元件 制造 方法 电子设备 | ||
1.固体摄像元件，其包括：
光电二极管，所述光电二极管基于入射光的光量进行光电转换；
光电转换膜，所述光电转换膜基于入射光的光量进行光电转换；
扩散层，所述扩散层具有第二极性，并且所述扩散层存储由所述光电转换膜的光电转换产生的电荷，所述第二极性不同于所述光电二极管拥有的第一极性；以及
杂质层，所述杂质层包含具有所述第一极性的杂质，
其中，所述光电二极管和所述扩散层以彼此平行的方式设置在同一基板内，
所述杂质层设置在所述扩散层的下侧，
像素晶体管连接至所述扩散层的与所述下侧相反的另一侧。
2.根据权利要求1所述的固体摄像元件，其中，所述杂质层以高于预定值的浓度设置在所述扩散层下方。
3.根据权利要求2所述的固体摄像元件，其中，所述杂质层以高于2.00E+15/cm2的浓度设置在所述扩散层下方。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的固体摄像元件，其中，所述杂质层设置在所述扩散层下方并且与所述扩散层相距预定距离。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的固体摄像元件，其中，所述杂质层设置在所述扩散层下方，并且在所述杂质层与所述扩散层之间夹持有预定物质。
6.根据权利要求5所述的固体摄像元件，其中，所述预定物质包括具有所述第二极性的杂质层。
7.用于制造固体摄像元件的固体摄像元件制造方法，其中，
所述固体摄像元件是如权利要求1至6中任一项所述的固体摄像元件。
8.电子设备，其包括：
光电二极管，所述光电二极管基于入射光的光量进行光电转换；
光电转换膜，所述光电转换膜基于入射光的光量进行光电转换；
扩散层，所述扩散层具有第二极性，并且所述扩散层存储由所述光电转换膜的光电转换产生的电荷，所述第二极性不同于所述光电二极管拥有的第一极性；以及
杂质层，所述杂质层包含具有所述第一极性的杂质，
其中，所述光电二极管和所述扩散层以彼此平行的方式设置在同一基板内，
所述杂质层设置在所述扩散层的下侧，
像素晶体管连接至所述扩散层的与所述下侧相反的另一侧。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
