[发明专利]基于石墨烯的层转移的系统和方法在审
| 申请号： | 201680059078.8 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN108140552A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | J·金 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/532;H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京坤瑞律师事务所 11494 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开一种基于石墨烯的层转移(GBLT)技术。在此方法中，在石墨烯层上制造包括III‑V半导体、Si、Ge、III‑N半导体、SiC、SiGe或II‑VI半导体的设备层，所述石墨烯层进而设置在衬底上。所述石墨烯层或所述衬底可以与所述设备层晶格匹配以减少所述设备层中的缺陷。然后可以通过例如附接到所述设备层的应力物从所述衬底移除所述制造的设备层。在GBLT中，所述石墨烯层充当用于生长设备层的可重新使用且通用的平台，并且还充当允许在石墨烯表面处快速、精确且可重复地释放的释放层。 | ||
| 搜索关键词： | 设备层 石墨烯层 石墨烯 半导体 层转移 衬底 衬底移除 晶格匹配 生长设备 表面处 可重复 释放层 通用的 制造 释放 | ||
【主权项】：
一种制造半导体设备的方法，所述方法包括：在第一衬底上形成石墨烯层；将所述石墨烯层从所述第一衬底转移到第二衬底；以及在所述石墨烯层上形成单晶膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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