[发明专利]基于石墨烯的层转移的系统和方法

权利要求书

1.一种制造半导体设备的方法，所述方法包括：

在第一衬底上形成石墨烯层；

将所述石墨烯层从所述第一衬底转移到第二衬底；以及

在所述石墨烯层上形成单晶膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一衬底包括碳化硅，并且所述石墨烯层包括单晶石墨烯层。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一衬底包括铜箔，并且所述石墨烯层包括多晶石墨烯层。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一衬底包括硅衬底，并且形成所述石墨烯层包括：

在所述硅衬底上形成锗层；以及

在所述锗层上形成所述石墨烯层。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述石墨烯层由单层石墨烯组成，并且在所述石墨烯层上形成所述单晶膜包括使用所述第二衬底作为所述单晶膜的晶种以及使用所述石墨烯层作为释放层。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述石墨烯层包括多晶石墨烯，并且所述第一衬底包括铜箔。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述石墨烯层包括多于一层的石墨烯，并且在所述石墨烯层上形成所述单晶膜包括使用所述石墨烯层作为所述单晶膜的晶种。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述石墨烯层包括单晶石墨烯。

9.如权利要求1所述的方法，其中在所述石墨烯层上形成所述单晶膜包括使用所述第二衬底和所述石墨烯层的组合作为所述单晶膜的晶种。

10.如权利要求1所述的方法，其中形成所述单晶膜包括在所述石墨烯层上沉积所述第二衬底的材料。

11.如权利要求1所述的方法，其还包括：

在所述石墨烯层中形成多个孔，并且

其中形成所述单晶膜包括在所述多个孔中和所述石墨烯层上沉积材料。

12.如权利要求1所述的方法，其还包括：

从所述石墨烯层移除所述单晶膜。

13.如权利要求12所述的方法，其中从所述石墨烯膜移除所述单晶膜包括剥落所述单晶膜。

14.如权利要求12所述的方法，其中从所述石墨烯膜移除所述单晶膜包括：

在所述单晶膜上形成金属应力物；

在所述金属应力物上设置柔性胶带；以及

用所述柔性胶带将所述单晶膜和所述金属应力物拉离所述石墨烯层。

15.如权利要求12所述的方法，其还包括：

将所述单晶膜沉积在第三衬底上。

16.如权利要求12所述的方法，其还包括：

在所述石墨烯层上形成另一个单晶膜。

17.如权利要求1所述的方法，其还包括：

在所述单晶膜上沉积材料。

18.如权利要求1所述的方法，其还包括：

从所述第二衬底移除所述单晶膜和所述石墨烯层。

19.一种通过如权利要求1所述的方法形成的半导体设备。