[发明专利]电位测量装置有效
申请号: | 201680057512.9 | 申请日: | 2016-08-09 |
公开(公告)号: | CN108291887B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 小木纯;大池祐辅 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N27/403;G01N27/416 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 根据本公开的电位测量装置包括多个读出电极,其以阵列形状布置并且配置为检测由于化学变化产生的电位生成点处的电位;和参考电极,其配置为检测参考电位。该参考电极布置在该读出电极的阵列内部。在这个配置下,其中获得其中可以降低叠加在从每个读出电极至放大器的配线上的噪声和叠加在从该参考电极至该放大器的配线上的噪声的低噪声电位测量装置。 | ||
搜索关键词: | 电位 测量 装置 | ||
【主权项】:
1.一种电位测量装置,其包括:多个读出电极,其以阵列形状布置并且配置为检测由于化学变化产生的动作电位生成点处的电位;参考电极,其配置为检测参考电位;和放大单元,其配置为获得通过所述读出电极的每一个检测的检测电位和通过所述参考电极检测的检测电位之间的电位差,其中所述参考电极布置在所述读出电极的阵列内部。
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