[发明专利]电位测量装置

权利要求书

1.一种电位测量装置，其包括：

多个读出电极，其以阵列形状布置并且配置为检测由于化学变化产生的动作电位生成点处的电位；

参考电极，其配置为检测参考电位；和

放大单元，其配置为获得通过所述读出电极的每一个检测的检测电位和通过所述参考电极检测的检测电位之间的电位差，

其中所述参考电极布置在所述读出电极的阵列内部，

其中所述放大单元包括多个差分放大器，所述多个差分放大器中的每个所述差分放大器设置为直接邻近所述多个读出电极中的相应的一个读出电极，并且与所述读出电极的距离和与所述参考电极的距离相等。

2.根据权利要求1所述的电位测量装置，其中所述读出电极、所述参考电极和所述放大器集成在半导体基板上。

3.根据权利要求1所述的电位测量装置，其中所述参考电极的电极尺寸大于所述读出电极的每一个的电极尺寸。

4.根据权利要求1所述的电位测量装置，其中所述读出电极各自具有基本上等于所述动作电位生成点的尺寸的电极尺寸。

5.根据权利要求3所述的电位测量装置，其中

所述参考电极包括所述参考电极的平面内的多个开口部分，并且

所述读出电极如此布置使得所述读出电极分别位于所述参考电极的所述开口部分内。

6.根据权利要求1所述的电位测量装置，包括A/D转换单元，其配置为执行所述放大器的输出的A/D转换，所述A/D转换单元形成在其上形成有所述读出电极、所述参考电极和所述放大器的半导体基板上。

7.根据权利要求1所述的电位测量装置，其中

分别针对所述多个读出电极设置所述多个差分放大器。

8.根据权利要求1所述的电位测量装置，其中包括具有相对大的电极尺寸的第一电极，和具有相对小的电极尺寸的第二电极，

其中所述电位测量装置在其中所述第一电极被用作所述参考电极并且所述第二电极被用作所述读出电极的每一个的情况和其中所述第一电极被用作所述读出电极的每一个并且所述第二电极被用作所述参考电极的情况之间切换。

9.根据权利要求8所述的电位测量装置，其中

将所述第二电极的每一个的检测电位设置为所述动作电位生成点处的检测电位，并且多个第一电极分组并且将所述多个第一电极的检测电位的平均值设置为所述参考电位。

10.根据权利要求8所述的电位测量装置，其中

将多个第二电极分组，将所述多个第二电极的检测电位的平均值设置为所述参考电位，并且

将除了所述多个第二电极的第二电极和所述第一电极分组并且将除了所述多个第二电极的所述第二电极和所述第一电极的检测电位的平均值设置为所述动作电位生成点处的检测电位。

11.根据权利要求8所述的电位测量装置，其中

多个微小电极布置在阵列形状中，

将若干微小电极的检测电位的平均值设置为所述第二电极的检测电位，并且将数百或更多个微小电极的检测电位的平均值设置为所述第一电极的检测电位。

12.根据权利要求1所述的电位测量装置，其中在其中所述读出电极的每一个的电极尺寸大于所述参考电极的电极尺寸的情况下，

具有相同电容值的电位转换电容串联连接在所述放大单元和所述读出电极和所述参考电极中的每一个之间，并且

所述电位转换电容的每一个的电容值小于所述读出电极和所述参考电极中的每一个的电极-溶剂电容值。

13.根据权利要求1所述的电位测量装置，其中所述读出电极和所述参考电极的每一个的电极结构是平面结构。

14.根据权利要求1所述的电位测量装置，其中

所述参考电极的电极结构是平面结构，并且

所述读出电极的每一个的电极结构是立体结构。