[发明专利]电介质薄膜、电容元件及电子部件

摘要

本发明提供一种即使将金属氧氮化物中含有的氮量控制为很低，也可以兼备高相对介电常数和高绝缘性的电介质薄膜。该电介质薄膜由具有钙钛矿结构的电介质组合物构成，电介质组合物具有由化学式Ma_zMbO_xN_y(Ma为选自Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na中的一种以上的元素，Mb为选自Ta、Nb、Ti、W中的一种以上的元素，O为氧，N为氮)表示的组成，在将Ma占据钙钛矿结构中的A位点时显示的离子价数设为a，将Mb占据钙钛矿结构中的B位点时显示的离子价数设为b时，a和b为6.7≤a+b≤7.3；x、y、z为0.8≤z≤1.2；2.450≤x≤3.493；0.005≤y≤0.700，该电介质组合物为包含Ma及Mb的金属氧氮化物固溶体。

主权项

一种电介质薄膜，其特征在于，该电介质薄膜由具有钙钛矿结构的电介质组合物构成，所述电介质组合物具有由化学式Ma_zMbO_xN_y表示的组成，其中，Ma表示选自Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na中的一种以上的元素，Mb表示选自Ta、Nb、Ti、W中的一种以上的元素，O表示氧，N表示氮，在将所述Ma占据所述钙钛矿结构中的A位点时所显示的离子价数设为a，将所述Mb占据所述钙钛矿结构中的B位点时所显示的离子价数设为b时，所述a和b满足6.7≤a+b≤7.3的关系，所述化学式的x、y、z为：0.8≤z≤1.22.450≤x≤3.4930.005≤y≤0.700所述电介质组合物为包含Ma及Mb的金属氧氮化物固溶体。