[发明专利]电介质薄膜、电容元件及电子部件

权利要求书

1.一种电介质薄膜，其特征在于，

该电介质薄膜由具有钙钛矿结构的电介质组合物构成，

所述电介质组合物具有由化学式Ma_zMbO_xN_y表示的组成，

其中，Ma表示选自Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na中的一种以上的元素，Mb表示选自Ta、Nb、Ti、W中的一种以上的元素，O表示氧，N表示氮，

在将所述Ma占据所述钙钛矿结构中的A位点时所显示的离子价数设为a，将所述Mb占据所述钙钛矿结构中的B位点时所显示的离子价数设为b时，所述a和b满足6.7≤a+b≤7.3的关系，

所述化学式的x、y、z为：

0.8≤z≤1.2

2.450≤x≤3.493

0.005≤y≤0.700

所述电介质组合物为包含Ma及Mb的金属氧氮化物固溶体。

2.一种电介质薄膜，其特征在于，

该电介质薄膜由包含具有钙钛矿结构的电介质的电介质组合物构成，

所述电介质组合物具有由化学式Ma_zMbO_xN_y表示的组成，

其中，Ma表示选自Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na中的一种以上的元素，Mb表示选自Ta、Nb、Ti、W中的一种以上的元素，O表示氧，N表示氮，

在将所述Ma占据所述钙钛矿结构中的A位点时显示的离子价数设为a，将所述Mb占据所述钙钛矿结构中的B位点时显示的离子价数设为b时，所述a及b满足6.7≤a+b≤7.3的关系，

所述化学式的x、y、z为：

0.8≤z≤1.2；

2.450≤x≤3.493；

0.005≤y≤0.700，

在所述电介质薄膜的X射线衍射图谱中，将归属于所述钙钛矿结构的衍射X射线的峰强度中显示最大强度的峰强度设为100时，不归属于所述钙钛矿结构的衍射X射线的峰强度中显示最大强度的峰强度为0以上且10以下。

3.根据权利要求2所述的电介质薄膜，其特征在于，

归属于所述钙钛矿结构的衍射X射线的峰中显示最大强度的峰以及不归属于所述钙钛矿结构的衍射X射线的峰中显示最大强度的峰存在于2θ＝30°～35°的范围内。

4.根据权利要求2或3所述的电介质薄膜，其特征在于，

不归属于所述钙钛矿结构的衍射X射线为归属于钙钛矿型层板结构的衍射X射线。

5.一种电介质薄膜，其特征在于，

在具有由化学式Ma_zMbO_xN_y表示的钙钛矿结构的电介质薄膜中，其中，Ma表示位于钙钛矿结构的A位点上的金属离子，Mb表示位于钙钛矿结构的B位点上的金属离子，O表示氧离子，N表示氮离子，

在将所述Ma和Mb各自的平均价数设为a、b时，所述a和b的关系满足a+b＝7.0，并且

所述化学式的x、y、z为：

0.8≤z≤1.2；

2.450≤x≤3.493；

0.005≤y≤0.700，

所述电介质薄膜由Ma和Mb得到的金属氧化物与由Ma和Mb得到的金属氧氮化物的固溶体构成。

6.根据权利要求5所述的电介质薄膜，其特征在于，

在所述钙钛矿结构中，将存在于通过CuKα1射线进行XRD分析时的2θ＝30°～35°的源自由Ma和Mb得到的金属氧氮化物的具有最大强度的峰的强度设为100时，存在于2θ＝30°～35°内的源自由Ma和Mb得到的金属氧化物的峰的强度为0以上且10以下，其中，CuKα1射线具有的波长。

7.根据权利要求5或6所述的电介质薄膜，其特征在于，

所述Ma为选自Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na中的一种以上的元素，Mb为选自Ta、Nb、Ti、W中的一种以上的元素。