[发明专利]用于改善脉冲宽度可伸缩性的高电压双极结构有效
| 申请号： | 201680057406.0 | 申请日： | 2016-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN108352384B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 修洋;A·C·阿帕索瓦米;A·萨勒曼;M·迪塞尼亚 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/102 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在用于集成电路中的静电放电ESD管理的双极晶体管(200)的所描述实例中，所述双极晶体管(200)在被配置用于ESD保护的双极晶体管单元中实现垂直电流。所述双极晶体管(200)包括选择性嵌入P型浮动掩埋层PBL(230)。在ESD事件期间，所述双极晶体管(200)的基极(260)以极小电流量延伸到所述PBL层(230)。所述PBL层(230)可提供较多孔以支持所述电流，引起所述双极晶体管(200)的降低的保持电压。通过选择性添加所述PBL层(230)，所述双极晶体管(200)在较长脉冲宽度下的电流可伸缩性可显著改善。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 脉冲宽度 伸缩性 电压 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：衬底；形成于所述衬底中的N型掩埋层；形成于所述N型掩埋层上方的N阱层；形成于所述N阱层内的P阱层；和形成于所述N阱层内在所述N型掩埋层的上方且在所述P阱层下方的P型掩埋层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
