[发明专利]铌酸锂单晶基板的制造方法有效
| 申请号： | 201680057085.4 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108138357B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 梶谷富男 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B33/02;H01L41/187;H01L41/41 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艳;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的课题是提供一种容易管理涉及温度、时间等的处理条件、体积电阻值的面内分布少并且由同一晶锭加工成的基板间的体积电阻率偏差少的铌酸锂(LN)基板的制造方法。本发明是使用通过丘克拉斯基法培养成的LN单晶制造LN基板的方法，其特征在于，将单晶中的Fe浓度为50质量ppm以上且2000质量ppm以下的、晶锭状态的铌酸锂单晶埋入Al粉末中或者埋入Al和Al |
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| 搜索关键词： | 铌酸锂单晶基板 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铌酸锂单晶基板的制造方法，该方法使用通过丘克拉斯基法培养成的铌酸锂单晶来制造铌酸锂单晶基板，所述制造方法的特征在于，将单晶中的Fe浓度为50质量ppm以上且2000质量ppm以下的、晶锭状态的铌酸锂单晶埋入Al粉末中或者埋入Al和Al2O3的混合粉末中，在450℃以上且小于铝的熔点660℃的温度条件下进行热处理，从而制造体积电阻率被控制在1×108Ω·cm以上且2×1012Ω·cm以下的范围的铌酸锂单晶基板。
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