[发明专利]铌酸锂单晶基板的制造方法

权利要求书

1.一种铌酸锂单晶基板的制造方法，该方法使用通过丘克拉斯基法培养成的铌酸锂单晶来制造铌酸锂单晶基板，所述制造方法的特征在于，

将单晶中的Fe浓度为50质量ppm以上且2000质量ppm以下的、晶锭状态的铌酸锂单晶埋入Al粉末中或者埋入Al和Al₂O₃的混合粉末中，在450℃以上且小于铝的熔点660℃的温度条件下进行热处理，从而制造体积电阻率被控制在1×10⁸Ω·cm以上且2×10¹²Ω·cm以下的范围、且铌酸锂单晶基板面内的体积电阻率偏差即σ/Ave小于3％的铌酸锂单晶基板，

所述Ave是指在铌酸锂单晶基板中心部的一处以及外周部的四处即在面内五处测定的体积电阻率的平均值，所述σ是它们的标准偏差，所述体积电阻率是通过以JIS K-6911为标准的三端子法测定的数值。

2.如权利要求1所述的铌酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，

要被实施热处理的晶锭状态的铌酸锂单晶是从培养成所述单晶后开始起至圆筒磨削加工后为止的铌酸锂单晶晶锭。

3.如权利要求2所述的铌酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，

所述圆筒磨削加工后的铌酸锂单晶晶锭的表面粗糙度以算术平均Ra值计为0.2μm以上且2μm以下。

4.如权利要求1至3中任一项所述的铌酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，

在真空环境下或非活性气体的减压环境下进行所述热处理。

5.如权利要求1至3中任一项所述的铌酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，

进行10小时以上的所述热处理。

6.如权利要求4所述的铌酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，

进行10小时以上的所述热处理。