[发明专利]激光加工方法

摘要

对包含在表面形成有多个功能元件的半导体基板的加工对象物，使激光从半导体基板的背面聚光，并且一边将半导体基板的表面和激光的第一聚光点的距离维持在第一距离，一边沿着切断预定线使第一聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第一改质区域。从半导体基板的背面使激光聚光于加工对象物上，并且一边将半导体基板的表面和激光的第二聚光点的距离维持在第二距离，并且相对于对准第一聚光点的位置，使第二聚光点朝向与半导体基板的厚度方向及切断预定线的延伸方向这两个方向垂直的方向偏移，一边沿着切断预定线使第二聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第二改质区域。除去在半导体基板中包含背面及至少第二改质区域的规定部分。

主权项

1.一种激光加工方法，其中，具备：第一工序，其对包含在表面形成有多个功能元件的半导体基板的加工对象物，将上述半导体基板的背面作为激光入射面而使激光聚光，一边将上述半导体基板的上述表面和上述激光的第一聚光点的距离维持在第一距离，一边沿着被设定成通过相邻的上述功能元件之间的切断预定线而使上述激光的上述第一聚光点移动，由此沿着上述切断预定线形成第一改质区域；第二工序，其在上述第一工序之后，对上述加工对象物，将上述半导体基板的上述背面作为激光射入面而使上述激光聚光，一边将上述半导体基板的上述表面和上述激光的第二聚光点的距离维持在大于上述第一距离的第二距离，并且相对于对准上述激光的上述第一聚光点的位置，使上述激光的上述第二聚光点朝向与上述半导体基板的厚度方向及上述切断预定线的延伸方向这两个方向垂直的方向偏移，一边沿着上述切断预定线而使上述激光的上述第二聚光点移动，由此沿着上述切断预定线形成第二改质区域；以及第三工序，其在上述第二工序之后，除去在上述半导体基板中包含上述背面及至少上述第二改质区域的规定部分。