[发明专利]激光加工方法

说明书

对包含在表面形成有多个功能元件的半导体基板的加工对象物，使激光从半导体基板的背面聚光，并且一边将半导体基板的表面和激光的第一聚光点的距离维持在第一距离，一边沿着切断预定线使第一聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第一改质区域。从半导体基板的背面使激光聚光于加工对象物上，并且一边将半导体基板的表面和激光的第二聚光点的距离维持在第二距离，并且相对于对准第一聚光点的位置，使第二聚光点朝向与半导体基板的厚度方向及切断预定线的延伸方向这两个方向垂直的方向偏移，一边沿着切断预定线使第二聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第二改质区域。除去在半导体基板中包含背面及至少第二改质区域的规定部分。

技术领域

本发明的一观点是涉及激光加工方法。

背景技术

已知一种激光加工方法，其中，对包含在表面以矩阵形状形成有多个功能元件的硅基板的加工对象物，以硅基板的背面作为激光入射面而照射激光，从而沿着以通过相邻的功能元件之间的方式被形成为格子状的切断预定线，在硅基板中的表面附近形成改质区域，之后，通过将硅基板的背面研磨使硅基板成为特定的厚度，将加工对象物切断成各个功能元件(例如，参照专利文献1)。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]国际公开第03/077295号

发明内容

[发明所要解决的技术问题]

在上述激光加工方法中，从提高加工效率的观点来看，减少激光对一条切断预定线的扫描次数(即，针对一条切断预定线所形成的改质区域的列数)是重要的。由此，随着改质区域的形成，有使龟裂从改质区域朝向半导体基板的厚度方向伸展得很大的情形。但是，在此情况下，在使激光聚光于半导体基板时，有在与激光入射面相反的一侧的半导体基板的表面产生损伤，且功能元件的特性发生劣化的情形。

另外，在上述激光加工方法中，针对切断加工对象物而能取得的多个晶片，期待提高其产率。因此，要求例如抑制在切断面出现阶差，且提高切断面的直线性。

本发明的一观点是，其目的在于提供一种激光加工法，其能够抑制在与激光入射面相反的一侧的加工对象物的表面产生损伤，并且能够实现切断面的平滑。

[用以解决技术问题的技术手段]

与本发明的一观点有关的激光加工方法具备：第一工序，其对包含在表面形成有多个功能元件的半导体基板的加工对象物，将半导体基板的背面作为激光入射面而使激光聚光，一边将半导体基板的表面和激光的第一聚光点的距离维持在第一距离，一边沿着被设定成通过相邻的功能元件之间的切断预定线而使激光的第一聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第一改质区域；第二工序，其在第一工序之后，对加工对象物，将半导体基板的背面作为激光射入面而使激光聚光，一边将半导体基板的表面和激光的第二聚光点的距离维持在大于第一距离的第二距离，并且相对于对准激光的第一聚光点的位置，使激光的第二聚光点朝向与半导体基板的厚度方向及切断预定线的延伸方向这两个方向垂直的方向偏移，一边沿着切断预定线而使激光的第二聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第二改质区域；及第三工序，其在第二工序之后，除去在半导体基板中包含背面及至少第二改质区域的规定部分。

在该激光加工方法中，在第二工序中，在形成第二改质区域时，相对于对准激光的第一聚光点的位置，使激光的第二聚光点朝向与半导体基板的厚度方向及切断预定线的延伸方向这两个方向垂直的方向(以下，简称为“切断预定线的垂直方向”)偏移。由此，能够抑制在与激光入射面相反的一侧的加工对象物的表面产生损伤。通过该偏移，虽然在切断预定线的垂直方向上，第二改质区域的位置相对于第一改质区域的位置具有阶差(偏移)，但是，至少对于第二改质区域而言，在第三工序中随着除去规定部分而被除去。由此，在规定部分被除去后，沿着切断预定线而被切断的加工对象物中，能够抑制由于第二改质区域而引起切断面出现阶差的情形，并且能够使切断面平滑并提高直线性。