[发明专利]CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法

摘要

本发明涉及CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法，更详细地说，提供如下的CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法：通过调节添加剂以及溶剂的含量，可自由调节氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜的选择比来进行抛光，因此可有效地适用于要求对于氧化硅膜选择性去除氮化硅膜以及多晶硅膜的半导体制造工艺。

主权项

1.一种CMP用浆料组合物，其特征在于，对氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜调节选择比来进行抛光，包含：0.2至10重量％的抛光材料，由胶体二氧化硅构成；0.001至7重量％的添加剂，A,包含戊二酸和5-甲基苯并三唑；B，选择性包含聚乙二醇；剩余的溶剂；其中，对于所述添加剂，聚乙二醇、5-甲基苯并三唑以及戊二酸的比例为0～5.0:0～5.0:0～5.0；所述戊二酸和5-甲基苯并三唑分别是超过0的比例；对于所述抛光，氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜的抛光选择比为1:10～20:1～22.2。