[发明专利]CMP用浆料组合物及利用该组合物的抛光方法

权利要求书

1.一种CMP用浆料组合物，其特征在于，对氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜调节选择比来进行抛光，包含：

0.2至10重量％的抛光材料，由胶体二氧化硅构成；

0.001至7重量％的添加剂，A,包含戊二酸和5-甲基苯并三唑；B，包含聚乙二醇；

剩余的溶剂；

其中，对于所述添加剂，聚乙二醇、5-甲基苯并三唑以及戊二酸的比例为0～5.0:0～5.0:0～5.0；所述聚乙二醇、戊二酸和5-甲基苯并三唑分别是超过0的比例；

对于所述抛光，氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜的抛光选择比为1:10～20:1～22.2；且

所述CMP用浆料组合物同时抛光在氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜中选择两种以上形成的被抛光膜。

2.根据权利要求1所述的CMP用浆料组合物，其特征在于，

所述胶体二氧化硅粒度为10至120nm。

3.根据权利要求1所述的CMP用浆料组合物，其特征在于，

所述CMP用浆料组合物还包含水溶性高分子。

4.根据权利要求3所述的CMP用浆料组合物，其特征在于，

所述水溶性高分子是在由聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸和羟乙基纤维素组成的群组中的选择的一种以上的化合物，对于组合物总量包含0.001至5重量％的水溶性高分子。

5.根据权利要求1所述的CMP用浆料组合物，其特征在于，

所述CMP用浆料组合物的pH是3至5。

6.根据权利要求1所述的CMP用浆料组合物，其特征在于，

所述CMP用浆料组合物是在抛光材料包含添加剂以用作单一浆料。

7.一种利用CMP用浆料组合物的抛光方法，其特征在于，包括如下的步骤：

利用权利要求1、2、3、4、5、6中任意一项的CMP用浆料组合物抛光半导体晶片。

8.根据权利要求7所述的利用CMP用浆料组合物的抛光方法，其特征在于，

所述抛光方法为分别注入抛光材料与添加剂，通过调节添加剂的含量来调节氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜的选择比进行抛光。

9.根据权利要求7所述的利用CMP用浆料组合物的抛光方法，其特征在于，

对于所述添加剂，通过调节聚乙二醇的含量来调节多晶硅膜的选择比进行抛光；通过调节杂环化合物以及戊二酸的含量来调节氮化硅膜的选择比进行抛光。