[发明专利]改进的溅射线圈产品和制作方法在审
| 申请号： | 201680055118.1 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108028173A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | J.A.邓洛普;K.T.休伯特;J.C.鲁兹卡;A.N.A.雷格;M.D.布隆德尔;W.P.贾迪;P.F.约翰;E.P.拉拉;W.D.迈尔;A.P.道布;S.A.巴克哈特;T.C.琼蒂拉 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/203 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;蒋骏 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于供物理气相沉积装置使用的高表面积线圈包括第一表面。第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约15μm和大约150μm之间的宏观织构。第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约2μm和15μm之间的微观织构。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 溅射 线圈 产品 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于供物理气相沉积装置使用的高表面积线圈，所述高表面积线圈包括：第一表面；第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约15μm和大约150μm之间的宏观织构；以及具有宏观织构的第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约3μm和15μm之间的微观织构。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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