[发明专利]改进的溅射线圈产品和制作方法在审
| 申请号: | 201680055118.1 | 申请日: | 2016-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN108028173A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
| 发明(设计)人: | J.A.邓洛普;K.T.休伯特;J.C.鲁兹卡;A.N.A.雷格;M.D.布隆德尔;W.P.贾迪;P.F.约翰;E.P.拉拉;W.D.迈尔;A.P.道布;S.A.巴克哈特;T.C.琼蒂拉 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/203 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 周学斌;蒋骏 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 改进 溅射 线圈 产品 制作方法 | ||
1.一种用于供物理气相沉积装置使用的高表面积线圈,所述高表面积线圈包括:
第一表面;
第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约15μm和大约150μm之间的宏观织构;以及
具有宏观织构的第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约3μm和15μm之间的微观织构。
2.权利要求1所述的高表面积线圈,其中微观织构表面粗糙度在大约5μm和大约10μm之间。
3.权利要求1或2中任一项所述的高表面积线圈,其中具有微观织构的第一表面的部分具有在大约140%和大约1000%之间的宏观织构百分比表面积。
4.权利要求1-3中任一项所述的高表面积线圈,其中具有宏观织构的第一表面的部分具有在大约140%和大约300%之间的微观织构百分比表面积。
5.权利要求1-4中任一项所述的高表面积线圈,其中线圈的百分比表面积在大约120%和1000%之间。
6.一种形成用于供物理气相沉积装置使用的高表面积线圈的方法,包括:
在线圈的第一表面的至少部分上形成宏观织构;以及
在包含宏观织构的第一表面的至少部分上形成微观织构,
其中,在形成宏观织构和形成微观织构之后,线圈具有至少120%的百分比表面积。
7.权利要求6所述的方法,其中形成宏观织构包括形成滚花、机械加工或者浮雕的图案中的至少一个。
8.权利要求6或7中任一项所述的方法,其中形成微观织构包括喷砂处理、蚀刻、电子束、喷丸硬化、机械加工、激光、压印或者滚花中的至少一个。
9.权利要求6-8中任一项所述的方法,其中,在形成宏观织构和形成微观织构之后,线圈具有在大约2μm和大约75μm Ra之间的表面粗糙度。
10.权利要求6-9中任一项所述的方法,其中线圈的百分比表面积在大约120%和1000%之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





