[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置具备：薄膜晶体管，其具有氧化物半导体层；以及配线连接部(201)，配线连接部(201)具备：下部导电部(3t)，其与栅极电极由同一导电膜形成；绝缘层(15)，其具有将下部导电部(3t)的至少一部分露出的接触孔(CH2)；以及上部导电部(19t)，其至少一部分配置在接触孔(CH2)内，绝缘层(15)包含栅极绝缘层(4)、保护层(9)以及层间绝缘层(13)，在接触孔的侧壁，栅极绝缘层(4)具有上段部(41)和位于上段部(41)的基板侧的下段部(42)，当从基板的法线方向观看时，下段部(42)的侧面位于比上段部(41)的侧面靠外侧，上部导电部(19t)在接触孔内与下部导电部(3t)以及栅极绝缘层(4)的下段部(42)的侧面和上表面接触。

主权项

1.一种半导体装置，具备：基板；薄膜晶体管，其支撑于上述基板；层间绝缘层，其覆盖上述薄膜晶体管；以及配线连接部，上述半导体装置的特征在于，上述薄膜晶体管具有：栅极电极，其形成在上述基板之上；栅极绝缘层，其覆盖上述栅极电极；氧化物半导体层，其形成在上述栅极绝缘层上；保护层，其覆盖上述氧化物半导体层的至少沟道区域；以及源极电极和漏极电极，其形成为分别与上述氧化物半导体层接触，上述配线连接部具备：下部导电部，其与上述栅极电极由同一导电膜形成；绝缘层，其形成在上述下部导电部上，并且具有将上述下部导电部的至少一部分露出的接触孔；以及上部导电部，其至少一部分配置在上述接触孔内，上述绝缘层包含上述栅极绝缘层、上述保护层以及上述层间绝缘层，在上述接触孔的侧壁，上述栅极绝缘层具有上段部和位于上述上段部的上述基板侧的下段部，当从上述基板的法线方向观看时，上述下段部的侧面位于比上述上段部的侧面靠外侧，上述上部导电部在上述接触孔内与上述下部导电部以及上述栅极绝缘层的上述下段部的侧面和上表面接触。