[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：基板；薄膜晶体管，其支撑于上述基板；层间绝缘层，其覆盖上述薄膜晶体管；以及配线连接部，上述半导体装置的特征在于，

上述薄膜晶体管具有：栅极电极，其形成在上述基板之上；栅极绝缘层，其覆盖上述栅极电极；氧化物半导体层，其形成在上述栅极绝缘层上；保护层，其覆盖上述氧化物半导体层的至少沟道区域；以及源极电极和漏极电极，其形成为分别与上述氧化物半导体层接触，

上述配线连接部具备：

下部导电部，其与上述栅极电极由同一导电膜形成；

绝缘层，其形成在上述下部导电部上，并且具有将上述下部导电部的至少一部分露出的接触孔；以及

上部导电部，其至少一部分配置在上述接触孔内，

上述绝缘层包含上述栅极绝缘层、上述保护层以及上述层间绝缘层，

在上述接触孔的侧壁，上述栅极绝缘层的端面具有台阶结构，具有上述台阶结构的端面具有上段部的侧面以及下段部的上表面和侧面，上述下段部位于上述上段部的上述基板侧，当从上述基板的法线方向观看时，上述下段部的侧面位于比上述上段部的侧面靠外侧，

上述上部导电部在上述接触孔内与上述下部导电部以及上述栅极绝缘层的上述下段部的侧面和上表面接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

上述配线连接部还具有氧化物半导体连接部，上述氧化物半导体连接部位于上述保护层和上述栅极绝缘层之间，并且与上述氧化物半导体层由同一半导体膜形成，

当从上述基板的法线方向观看时，在上述接触孔的上述侧壁，上述氧化物半导体连接部的侧面位于上述保护层的侧面与上述栅极绝缘层的上述下段部的侧面之间，

上述上部导电部在上述接触孔内还与上述栅极绝缘层的上述上段部的侧面以及上述氧化物半导体连接部的侧面和上表面接触。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

在上述接触孔的上述侧壁，上述栅极绝缘层的上述上段部的侧面与上述保护层的侧面是对齐的。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，

在上述接触孔的上述侧壁，上述栅极绝缘层的上述上段部的侧面与上述氧化物半导体连接部的侧面是对齐的。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，

上述上部导电部从上述接触孔的底面经过上述侧壁延伸到上述层间绝缘层上。

6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，

上述上部导电部在上述栅极绝缘层的上述下段部的上表面上具有端部。

7.根据权利要求2或4所述的半导体装置，

上述上部导电部在上述氧化物半导体连接部的上表面上具有端部。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

上述配线连接部还具有源极连接部，上述源极连接部位于上述保护层和上述层间绝缘层之间，并且与上述源极电极由同一导电膜形成，

当从上述基板的法线方向观看时，在上述接触孔的上述侧壁，上述源极连接部的侧面位于比上述栅极绝缘层的上述下段部的侧面靠内侧，

上述上部导电部在上述接触孔内还与上述栅极绝缘层的上述上段部的侧面、上述保护层的侧面以及上述源极连接部的侧面和上表面接触。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，

上述源极连接部的侧面与上述保护层的侧面以及上述栅极绝缘层的上述上段部的侧面是对齐的。