[发明专利]用于制造光电子器件的方法有效
申请号: | 201680054045.4 | 申请日: | 2016-09-15 |
公开(公告)号: | CN108028295B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 罗伯特·舒尔茨;克里斯蒂安·莱雷尔;科比尼安·佩尔茨尔迈尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/08 | 分类号: | H01L33/08;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁永凡;张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 提出一种用于制造光电子器件的方法,其中该方法包括:通过光电子器件(10)的感应部件(4)感应地激励电流,使得激励光电子器件(10)以发射电磁辐射(2);和测量光电子器件(10)的至少一个电子光学特性;和将转换材料(3)施加到光电子器件(10)的放射侧(1)上,其中从电子光学特性的测量中确定要施加的转换材料(3)的量。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 光电子 器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造光电子器件(10)的方法,所述方法包括:/n-通过所述光电子器件(10)的感应部件(4)感应地激励电流,使得激励所述光电子器件(10)以发射电磁辐射(2),/n-测量所述光电子器件(10)的至少一个电子光学特性,/n-将转换材料(3)施加到所述光电子器件(10)的放射侧(1)上,其中从所述电子光学特性的测量中确定要施加的所述转换材料(3)的量,并且/n其中所述光电子器件(10)包括发光的半导体本体,所述半导体本体包括第一区段(30)和第二区段(31),其中所述第一区段(30)和所述第二区段(31)包括放射侧(1),其中所述第一区段(30)和所述第二区段(31)彼此电互联,并且经由所述感应部件(4)通过产生随时间改变的电磁交变场(40)将交变电压耦合输入到所述光电子器件(10)中。/n
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