[发明专利]用于制造纳米结构的方法有效
| 申请号： | 201680053641.0 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN108028182B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 格雷戈尔·科比穆勒;贝内迪克特·梅耶尔;乔纳森·芬利;格哈德·埃博斯特瑞特 | 申请（专利权）人： | 慕尼黑科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;B82Y10/00;B82Y30/00;H01L33/18 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于制造纳米结构的方法，包括以下步骤：在衬底上生长第一纳米线；在衬底上形成电介质层，电介质层围绕第一纳米线，其中，电介质层的厚度小于第一纳米线的长度；以及从电介质层移除第一纳米线，从而暴露电介质层中的孔。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.用于制造纳米结构的方法，包括：在衬底(18)上生长第一纳米线(24)；在所述衬底(18)上形成电介质层(14)，所述电介质层(14)围绕所述第一纳米线(24)，其中，所述电介质层(14)的厚度(t)小于所述第一纳米线(24)的长度；以及从所述电介质层(14)移除所述第一纳米线(24)，从而暴露所述电介质层(14)中的孔(10；121 -124 )。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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