[发明专利]用于制造纳米结构的方法

权利要求书

1.用于制造纳米结构的方法，包括：

在衬底(18)上生长第一纳米线(24)；

在所述衬底(18)上形成电介质层(14)，所述电介质层(14)围绕所述第一纳米线(24)，其中，所述电介质层(14)的厚度(t)小于所述第一纳米线(24)的长度；以及

从所述电介质层(14)移除所述第一纳米线(24)，从而暴露所述电介质层(14)中的孔(10；12₁-12₄)；

所述方法还包括以下步骤：在所述衬底(18)上的所述孔(10；12₁-12₄)中生长第二纳米线(30；30₁-30₄)，

其中，生长所述第二纳米线(30；30₁-30₄)包括：

在所述孔(10；12₁-12₄)中生长支承元件(32)，以及

使所述支承元件(32)在所述电介质层(14)上方延伸，以及

在延伸到所述电介质层(14)上方的所述支承元件(32)的至少一部分周围生长本体元件(34)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一纳米线(24)从位于所述衬底(18)上的种晶生长。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，生长所述第一纳米线(24)包括：

在所述衬底(18)上形成掩膜层(16)；

在所述掩膜层(16)中形成开口(22)，其中，所述开口(22)延伸至所述衬底(18)；以及

在所述开口(22)中的所述衬底(18)上生长所述第一纳米线(24)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述掩膜层(16)形成为不大于80nm的厚度，或者不大于50nm的厚度，或者不大于30nm的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质层(14)以至少100nm的厚度(t)形成在所述衬底(18)上，或者以至少150nm的厚度(t)形成在所述衬底(18)上，或者以至少200nm的厚度(t)形成在所述衬底(18)上。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述纳米结构适于发射波长为λ的激光信号，其中，所述电介质层(14)的厚度(t)是λ/(2·n)的整数倍，其中，n表示所述电介质层(14)的折射率。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一纳米线(24)通过热分解和/或选择蚀刻来移除，所述选择蚀刻具体为湿化学蚀刻和/或干化学蚀刻。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述本体元件(34)的直径(d₂)比所述支承元件(32)的直径(d₁)大至少两倍，或者比所述支承元件(32)的直径(d₁)大至少三倍。

9.根据权利要求1或8所述的方法，其中，所述纳米结构适于发射波长为λ的激光信号，以及所述支承元件(32)的直径(d₁)小于λ/(2·m)，其中，m表示所述支承元件(32)的折射率。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述纳米结构适于发射波长为λ的激光信号，以及所述本体元件(34)的直径(d₂)不小于λ/p，或者不小于1.5λ/p，其中，p表示所述本体元件(34)的折射率。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，生长所述第一纳米线(24)和/或生长所述第二纳米线(30；30₁-30₄)包括分子束外延或金属有机化学气相沉积。