[发明专利]SiC复合基板的制造方法有效
| 申请号： | 201680052879.1 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN108138358B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 秋山昌次;久保田芳宏;长泽弘幸 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/01;C23C16/42;C30B25/18;C30B33/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 杜丽利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而制作在保持基板21'上将单晶SiC层12和厚度t的多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15时，进行将单晶SiC层负载体14加热至低于1414℃而只沉积厚度t的一部分的多晶SiC，接着升温到1414℃以上而边将保持基板21的至少一部分熔融边进一步沉积多晶SiC直至成为厚度t后进行冷却，然后将保持基板21'以物理和/或化学方式除去。根据本发明，用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。 | ||
| 搜索关键词： | sic 复合 制造 方法 | ||
【主权项】：
SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板上具有单晶SiC层的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板的单面设置单晶SiC层而制作了单晶SiC层负载体后，在该单晶SiC层上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而制作在保持基板上将单晶SiC层和厚度t的多晶SiC基板层叠的SiC层叠体时，进行将所述单晶SiC层负载体加热至低于1414℃而只沉积厚度t的一部分的多晶SiC，接着升温到1414℃以上以边将保持基板的至少一部分熔融边进一步沉积多晶SiC直至成为厚度t，之后进行冷却，然后将所述保持基板以物理和/或化学方式除去。
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