[发明专利]SiC复合基板的制造方法有效
| 申请号： | 201680052879.1 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN108138358B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 秋山昌次;久保田芳宏;长泽弘幸 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/01;C23C16/42;C30B25/18;C30B33/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 杜丽利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 复合 制造 方法 | ||
1.SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板上具有单晶SiC层的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板的单面设置单晶SiC层而制作了单晶SiC层负载体后，在该单晶SiC层上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而制作在保持基板上层叠有单晶SiC层和厚度t的多晶SiC基板的SiC层叠体时，将所述单晶SiC层负载体加热至低于1414℃而沉积等于厚度t的一部分的30μm以上的多晶SiC，接着升温到1414℃以上以边将保持基板的至少一部分熔融边进一步沉积多晶SiC直至成为等于厚度t的100μm以上且650μm以下，之后进行冷却，然后将所述保持基板以物理和/或化学方式除去。
2.如权利要求1所述的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，使将所述单晶SiC负载体加热至低于1414℃时沉积的多晶SiC的厚度为0.075t以上且0.5t以下，使将所述单晶SiC负载体加热至1414℃以上时沉积的多晶体SiC的厚度为0.5t以上且0.925t以下。
3.如权利要求1或2所述的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，所述多晶SiC基板的厚度t为200μm以上且600μm以下。
4.如权利要求1或2所述的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，所述化学气相沉积法为热CVD法。
5.如权利要求1或2所述的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，在所述保持基板与单晶SiC层之间设置由氧化硅、氮化硅或氧氮化硅构成的中间层。
6.如权利要求1或2所述的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，将采用离子注入剥离法从单晶SiC基板剥离的单晶SiC薄膜转印于所述保持基板上以设置所述单晶SiC层。
7.如权利要求1或2所述的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，在所述保持基板上使SiC异质外延生长以设置所述单晶SiC层。
8.如权利要求1或2所述的SiC复合基板的制造方法，所述保持基板的厚度为200μm以上且600μm以下。
9.如权利要求1或2所述的SiC复合基板的制造方法，将所述多晶SiC沉积等于厚度t的一部分的30μm以上时的单晶SiC层负载体的加热温度为1100℃以上且1300℃以下。
10.如权利要求1或2所述的SiC复合基板的制造方法，边将所述保持基板的至少一部分熔融边进一步沉积多晶SiC直至成为等于厚度t的100μm以上且650μm以下时的单晶SiC层负载体的加热温度为1414℃以上且1800℃以下。
11.如权利要求1或2所述的SiC复合基板的制造方法，所述单晶SiC层的厚度为100nm以上且1μm以下。
12.如权利要求1或2所述的SiC复合基板的制造方法，所述SiC复合基板的弯曲量为-50μm以上且75μm以下。
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