[发明专利]自适应SNR超低功率超低噪声传声器在审

专利信息
申请号: 201680052706.X 申请日: 2016-07-12
公开(公告)号: CN108141667A 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 厄兹·加拜 申请(专利权)人: 怀斯迪斯匹有限公司
主分类号: H04R3/04 分类号: H04R3/04;H04R3/06;H04R3/08;H04R3/10;H04R19/01
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 陈桂香;曹正建
地址: 以色列*** 国省代码: 以色列;IL
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摘要: 一种传声器电路包括:JFET晶体管或MOSFET晶体管,其栅极连接到输入阻抗网络的输入端;源极电阻器,其一个端子连接到晶体管的源极,且其另一端子接地;旁路电容器,其并联连接到源极电阻器;负载电阻器,其一个端子连接到晶体管的漏极,且其另一个端子连接到VCC_LOW;运算放大器,其输入端经由双向低通滤波器连接到晶体管的源极,另一输入端连接到参考电压,且输出端经由LPF连接到输入阻抗网络的另一端子;能量检测器;其经由耦合电容器连接到晶体管的漏极;与能量检测器的输出端连接的一个LPF;与能量检测器的输出端连接的另一LPF;以及输入阻抗网络,其连接到传声器。
搜索关键词: 晶体管 源极 能量检测器 端子连接 输入阻抗 输出端连接 传声器 电阻器 输入端 漏极 双向低通滤波器 传声器电路 负载电阻器 旁路电容器 输入端连接 运算放大器 耦合电容器 并联连接 参考电压 超低功率 超低噪声 端子接地 栅极连接 网络 输出端 自适应
【主权项】:
一种传声器,其包括:晶体管,其包括JFET晶体管和MOSFET晶体管中的至少一者;阻抗网络,其中,所述阻抗网络的第一输入端子连接到所述晶体管的栅极端子;源极电阻器,其中,所述源极电阻器的第一端子连接到所述晶体管的源极端子,且所述源极电阻器的第二端子连接到接地端子;旁路电容器(CS),其并联连接到所述源极电阻器;负载电阻器(RD),其中,所述负载电阻器的第一端子连接到所述晶体管的漏极端子;电荷泵,其生成低电压电源VCC_LOW和反相电压‑VEE,其中,所述低电压连接到所述负载电阻器的第二端子,且所述反相电压‑VEE连接到运算放大器的第一电源节点;运算放大器,其中,所述运算放大器的第一输入端子经由双向低通滤波器晶体管连接到所述晶体管的源极端子;所述运算放大器的第二输入端子连接到受控参考电压Vref;所述运算放大器的第一电源端子连接到所述反相电压;所述运算放大器的第二电源端子连接到所述主电源电压,并且所述运算放大器的输出端子经由第二低通滤波器连接到所述输入阻抗网络的第二端子;输入驻极体电容器源,其并联连接到所述输入阻抗网络;超低功率包络/能量检测器,其经由耦合电容器连接到所述晶体管的漏极端子D;第三低通滤波器,其连接到所述超低功率包络/能量检测器的输出端;以及第四低通滤波器,其连接到所述超低功率包络/能量检测器的输出端。
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