[发明专利]自适应SNR超低功率超低噪声传声器

权利要求书

1.一种传声器，其包括：

晶体管，其包括JFET晶体管和MOSFET晶体管中的至少一者；

阻抗网络，其中，所述阻抗网络的第一输入端子连接到所述晶体管的栅极端子；

源极电阻器，其中，所述源极电阻器的第一端子连接到所述晶体管的源极端子，且所述源极电阻器的第二端子连接到接地端子；

旁路电容器(CS)，其并联连接到所述源极电阻器；

负载电阻器(RD)，其中，所述负载电阻器的第一端子连接到所述晶体管的漏极端子；

电荷泵，其生成低电压电源VCC_LOW和反相电压-VEE，其中，所述低电压连接到所述负载电阻器的第二端子，且所述反相电压-VEE连接到运算放大器的第一电源节点；

运算放大器，其中，

所述运算放大器的第一输入端子经由双向低通滤波器晶体管连接到所述晶体管的源极端子；

所述运算放大器的第二输入端子连接到受控参考电压Vref；

所述运算放大器的第一电源端子连接到所述反相电压；

所述运算放大器的第二电源端子连接到所述主电源电压，并且

所述运算放大器的输出端子经由第二低通滤波器连接到所述输入阻抗网络的第二端子；

输入驻极体电容器源，其并联连接到所述输入阻抗网络；

超低功率包络/能量检测器，其经由耦合电容器连接到所述晶体管的漏极端子D；

第三低通滤波器，其连接到所述超低功率包络/能量检测器的输出端；以及

第四低通滤波器，其连接到所述超低功率包络/能量检测器的输出端。

2.一种SNR监测器，其包括：

第一输入端，其连接到第三低通滤波器的输出端；

第二输入端，其连接到第四低通滤波器的输出端；

第三模拟输入端和第三数字输入端中的一者，其确定所需的SNR；

第一输出端，其连接到受控Vref的控制输入端；以及

可选的第二输出端，其连接到可选的受控电荷泵的控制输入端。

3.一种传声器，其包括：

晶体管，其包括JFET晶体管和MOSFET晶体管中的至少一者；

阻抗网络，其中，所述阻抗网络的第一输入端子连接到所述晶体管的栅极端子；

源极电阻器，其中，所述源极电阻器的第一端子连接到所述晶体管的源极端子，且所述源极电阻器的第二端子连接到接地端子；

旁路电容器(CS)，其并联连接到所述源极电阻器；

负载电阻器(RD)，其中，所述负载电阻器的第一端子连接到所述晶体管的漏极端子；

电荷泵，其生成低电压电源VCC_LOW和反相电压-VEE，其中，所述低电压连接到所述负载电阻器的第二端子，且所述反相电压-VEE连接到运算放大器的第一电源节点；

运算放大器，其中，

所述运算放大器的第一输入端子经由双向低通滤波器晶体管连接到所述晶体管的源极端子；

所述运算放大器的第二输入端子连接到受控参考电压Vref；

所述运算放大器的第一电源端子连接到所述反相电压，

所述运算放大器的第二电源端子连接到所述主电源电压，并且

所述运算放大器的输出端子经由第二低通滤波器连接到所述输入阻抗网络的第二端子；

输入源，其包括：

MEMS电容器，其中，所述MEMS电容器的第一端子接地，且所述MEMS电容器的第二端子连接到MEMS偏置网络的第一端子；

所述MEMS偏置网络，其中，所述MEMS偏置网络的第二端子连接到偏置电压VBB；以及

耦合电容器，其中，所述耦合电容器的第一端子连接到所述MEMS电容器的第二端子，且所述耦合电容器的第二端子连接到所述晶体管的栅极端子；

超低功率包络/能量检测器，其经由耦合电容器连接到所述晶体管的漏极端子；

第三低通滤波器，其连接到所述超低功率包络/能量检测器的输出端；以及

第四低通滤波器，其连接到所述超低功率包络/能量检测器的输出端。