[发明专利]在化学气相沉积系统中用于受控制掺杂物掺入和活化的方法和设备

摘要

实施例包含用于产生具有减少数量的点缺陷的半导体晶片的系统和方法。这些系统和方法包含可调谐的紫外UV光源，其经控制以在外延生长期间跨半导体晶片的表面产生UV光束的光栅以解离所述半导体晶片中的点缺陷。在各种实施例中，所述可调谐的UV光源配置在金属有机化学气相沉积MOCVD腔室外部且经控制使得所述UV光束被引导通过限定于所述MOCVD腔室的壁中的窗口。

主权项

1.一种化学气相沉积系统，其包括：化学气相沉积反应器，其包含：腔室；可旋转的晶片载体，其适应于收纳至少一个晶片且在外延生长期间以预定旋转速度旋转；至少一个晶片，其安装到所述腔室内的所述可旋转的晶片载体；观察口，其限定于所述腔室的壁中；和气体注射系统，其经配置以朝向所述至少一个晶片递送气体混合物；UV光源，其经配置以产生UV光束，所述UV光源可操作地联接到所述观察口以允许来自所述UV光源的光通过所述观察口；光栅化子系统，其与所述UV光源通信且适应于控制所述UV光束朝向所述至少一个晶片通过所述观察口，以在形成于安装于腔室内的所述至少一个晶片上的半导体层上产生光栅图案，使得在外延生长期间，响应于所述预定旋转速度，所述UV光束经配置以入射于所述半导体层的多个区上，使得此类区中的点缺陷解离。