[发明专利]在化学气相沉积系统中用于受控制掺杂物掺入和活化的方法和设备

权利要求书

1.一种化学气相沉积系统，其包括：

化学气相沉积反应器，其包含：

腔室；

可旋转的晶片载体，其适应于收纳至少一个晶片且在外延生长期间以预定旋转速度旋转；

至少一个晶片，其安装到所述腔室内的所述可旋转的晶片载体；

观察口，其限定于所述腔室的壁中；和

气体注射系统，其经配置以朝向所述至少一个晶片递送气体混合物；

UV光源，其经配置以产生UV光束，所述UV光源可操作地联接到所述观察口以允许来自所述UV光源的光通过所述观察口；

光栅化子系统，其与所述UV光源通信且适应于控制所述UV光束朝向所述至少一个晶片通过所述观察口，以在形成于安装于腔室内的所述至少一个晶片上的半导体层上产生光栅图案，使得在外延生长期间，响应于所述预定旋转速度，所述UV光束经配置以入射于所述半导体层的多个区上，使得此类区中的点缺陷解离。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其中所述UV光源经选择性地调谐以提升所述半导体层的准费米能级，且由此在不使用所述半导体层的高温后生长退火的情况下解离所述半导体层中的点缺陷。

3.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其中所述半导体层包含由宽带隙半导体材料形成的未掺杂或掺杂层，且其中所述UV光源经选择性地调谐以通过点缺陷密度的调制而更改所述未掺杂或掺杂层的电阻率。

4.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其中所述UV光源经调谐以产生与影响生长于所述半导体层上的材料的气相反应或表面原子化学反应的能级不同的能级。

5.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其中所述UV光束经调谐为适合于激发关于第III族有机化合物或形成于所述第III族有机化合物与第V族化合物之间的中间加合物的特定结合的波长。

6.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其中所述光栅图案取决于所述一个或多个晶片的旋转速度、沉积半导体层的生长速率和/或所述至少一个晶片的布局中的一者或多者。

7.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其中所述光栅化系统响应于所述晶片的沉积层的特性而控制UV光的通量。

8.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其中所述UV光源包含UV LED源阵列，所述UV LED源中的至少一些发射不同波长。

9.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其中所述观察口经配置为允许全光学进出以使所述半导体层的整个表面成像的几何形状。

10.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其中所述观察口是由光学UV透明材料制成。

11.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其中所述至少一个晶片包括至少一外延生长半导体层。