[发明专利]半导体晶片的评价方法和半导体晶片有效
| 申请号： | 201680050755.X | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN108027330B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 森敬一朗 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956;G01N21/88;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种评价方法，使用具有入射系统和光接收系统的激光表面检查装置对具有研磨面的半导体晶片进行评价，该评价方法包括：使入射光从一入射系统向所述半导体晶片的研磨面入射，第一光接收系统接收该入射光通过被研磨面反射或散射而放射的放射光而获得测量结果1，第二光接收系统接收该入射光通过被研磨面反射或散射而放射的放射光而获得测量结果2，第三光接收系统接收该入射光通过被研磨面反射或散射而放射的放射光而获得测量结果3，基于测量结果1、测量结果2和测量结果3，将从由存在于所述半导体晶片的所述研磨面的加工所致缺陷和表面附着异物组成的群中被选择的异常类作为亮点检出，来进行所述半导体晶片的评价，所述第一光接收系统、第二光接收系统和第三光接收系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 评价 方法 | ||
【主权项】：
1.一种评价方法，使用具有入射系统和光接收系统的激光表面检查装置对具有研磨面的半导体晶片进行评价，该方法包括：使入射光从一入射系统向所述半导体晶片的研磨面入射，第一光接收系统接收该入射光通过被研磨面反射或散射而放射的放射光而获得测量结果1，第二光接收系统接收该入射光通过被研磨面反射或散射而放射的放射光而获得测量结果2，第三光接收系统接收该入射光通过被研磨面反射或散射而放射的放射光而获得测量结果3，基于测量结果1、测量结果2和测量结果3，将从由存在于所述半导体晶片的所述研磨面的加工所致缺陷和表面附着异物组成的群中被选择的异常类作为亮点检出，来进行所述半导体晶片的评价，所述第一光接收系统、第二光接收系统和第三光接收系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同。
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