[发明专利]半导体晶片的评价方法和半导体晶片

说明书

一种评价方法，使用具有入射系统和光接收系统的激光表面检查装置对具有研磨面的半导体晶片进行评价，该评价方法包括：使入射光从一入射系统向所述半导体晶片的研磨面入射，第一光接收系统接收该入射光通过被研磨面反射或散射而放射的放射光而获得测量结果1，第二光接收系统接收该入射光通过被研磨面反射或散射而放射的放射光而获得测量结果2，第三光接收系统接收该入射光通过被研磨面反射或散射而放射的放射光而获得测量结果3，基于测量结果1、测量结果2和测量结果3，将从由存在于所述半导体晶片的所述研磨面的加工所致缺陷和表面附着异物组成的群中被选择的异常类作为亮点检出，来进行所述半导体晶片的评价，所述第一光接收系统、第二光接收系统和第三光接收系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同。

相关专利申请的相互参照

本申请主张在2015年10月7日提出申请的日本专利申请2015-199111号的优先权，特在此引用其全部记载。

技术领域

本发明涉及一种半导体晶片的评价方法，更具体地说，涉及一种具有研磨面的半导体晶片的评价方法。

另外，本发明还涉及利用上述评价方法进行评价后的、具有研磨面的半导体晶片。

背景技术

作为对半导体晶片的缺陷和附着于表面的异物进行评价的方法，基于由激光表面检查装置所检出的亮点(LPD；Light Point Defect：光点缺陷)的方法正被广泛使用(例如参照特许第5509581号说明书(其全部记载在此特作为公开内容加以引用))。该方法是：通过使光向评价对象半导体晶片的表面入射，并检出来自该表面的放射光(散射光和反射光)，来对半导体晶片缺陷和异物的有无及尺寸进行评价。

发明内容

在半导体晶片中，抛光晶片(polished wafer)是经过包括研磨工序在内的各种工序而被制造的半导体晶片，其表面(最表面)是研磨面。在此所谓的研磨面是指被镜面研磨(也被称作“抛光”)后的面。在抛光晶片的表面(研磨面)能存在表面附着异物、及因镜面研磨和在其前后所进行的各种工序而产生的缺陷(下文称作“加工所致缺陷”)。如果能够检出这些表面附着异物和加工所致缺陷，则通过基于检出结果来进行消除这些表面附着异物和加工所致缺陷的发生原因等的制造工序管理，就能提供一种加工所致缺陷、表面附着异物少的研磨晶片。

本发明的一种形态是提供一种通过检出加工所致缺陷、表面附着异物来对具有研磨面的半导体晶片进行评价的新评价方法。

激光表面检查装置由入射系统和光接收系统构成。关于这一点，在特许第5509581号说明书中记载了使用具备两个入射系统的激光表面检查装置来检查在研磨工序中导入的缺陷和异物的方法。针对此，本发明人努力研究的结果是使用来自一个入射系统的入射光的下述评价方法：

一种使用具有入射系统和光接收系统的激光表面检查装置对具有研磨面的半导体晶片进行评价的评价方法，该方法包括：

使入射光从一入射系统向上述半导体晶片的研磨面入射，该入射光被研磨面反射或散射而放射的放射光，由第一光接收系统接收而获得测量结果1，由第二光接收系统接收而获得测量结果2，由第三光接收系统接收而获得测量结果3；基于测量结果1、测量结果2和测量结果3，将从由存在于上述半导体晶片的上述研磨面的加工所致缺陷和表面附着异物组成的群中选择的异常类作为亮点来检出，对上述半导体晶片进行评价；

第一光接收系统、第二光接收系统和第三光接收系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同。

也就是，根据上述评价方法，基于通过激光表面检查装置所获得的三种测量结果，能够检出上述异常类，该激光表面检查装置具备一入射系统和三个光接收系统，该三个光接收系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同。

在一种形态中，在上述三个光接收系统中，一个光接收系统接收全方位光，其他两个光接收系统分别选择地接收方位角不同的偏振光。