[发明专利]外延生长用取向氧化铝基板有效
| 申请号： | 201680050576.6 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN108137411B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 渡边守道;佐藤圭;松岛洁;七泷努 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/111 | 分类号： | C04B35/111 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;陈东升 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 作为本发明的一种实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为0.1°以上且小于1.0°，平均烧结粒径为10μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：在对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后，利用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 取向 氧化铝 | ||
【主权项】：
一种外延生长用取向氧化铝基板，其特征在于，构成表面的晶体粒子的倾斜角为0.1°以上且小于1.0°，平均烧结粒径为10μm以上。
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