[发明专利]多层陶瓷基片的制造方法有效
| 申请号： | 201680050157.2 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107926122B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 益川纯一;池田初男 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 多层陶瓷基片的制造方法，其包括：步骤(A)，准备配置有热膨胀层的第一陶瓷生片和没有配置热膨胀层的至少一个第二陶瓷生片；步骤(B)，夹着热膨胀层地层叠第一陶瓷生片和第二陶瓷生片，得到生片层叠体；步骤(C)，使生片层叠体的第一陶瓷生片和至少一个第二陶瓷生片相互压接；步骤(D)，在被压接了的生片层叠体中，对热膨胀层加热，使热膨胀层至少在厚度方向上膨胀；步骤(E)，去除生片层叠体中的因热膨胀层的膨胀而位移了的部分，在生片层叠体形成空腔；和步骤(F)，将形成有空腔的生片层叠体烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多层陶瓷基片的制造方法，其特征在于，包括：步骤(A)，准备配置有热膨胀层的第一陶瓷生片和没有配置热膨胀层的至少一个第二陶瓷生片；步骤(B)，夹着所述热膨胀层地层叠所述第一陶瓷生片和所述第二陶瓷生片，得到生片层叠体；步骤(C)，使所述生片层叠体的所述第一陶瓷生片和所述至少一个第二陶瓷生片相互压接；步骤(D)，在被压接了的所述生片层叠体中，对所述热膨胀层加热，使所述热膨胀层至少在厚度方向上膨胀；步骤(E)，去除所述生片层叠体中的因所述热膨胀层的膨胀而位移了的部分，在所述生片层叠体形成空腔；和步骤(F)，将形成有所述空腔的生片层叠体烧结。
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