[发明专利]多层陶瓷基片的制造方法

说明书

多层陶瓷基片的制造方法，其包括：步骤(A)，准备配置有热膨胀层的第一陶瓷生片和没有配置热膨胀层的至少一个第二陶瓷生片；步骤(B)，夹着热膨胀层地层叠第一陶瓷生片和第二陶瓷生片，得到生片层叠体；步骤(C)，使生片层叠体的第一陶瓷生片和至少一个第二陶瓷生片相互压接；步骤(D)，在被压接了的生片层叠体中，对热膨胀层加热，使热膨胀层至少在厚度方向上膨胀；步骤(E)，去除生片层叠体中的因热膨胀层的膨胀而位移了的部分，在生片层叠体形成空腔；和步骤(F)，将形成有空腔的生片层叠体烧结。

技术领域

本发明涉及具有空腔的多层陶瓷基片的制造方法。

背景技术

已知多层陶瓷基片被广泛用作在通信设备等的各种电子设备中使用的配线基片。通过使用多层陶瓷基片，能够将电容器、线圈、传输线路等的无源部件组装在基片内，或者在基片的表面安装电子部件，能够实现小型的模块。而且近年来，在多层陶瓷基片设置空腔，通过将半导体IC收纳在空腔内，来实现模块整体的低高度化(low profile)、功能的高集成化和复合化。

这样的带有空腔的多层陶瓷基片，一般而言，将具有与空腔相对应的开口的陶瓷生片和不具有开口的陶瓷生片层叠、压接之后，通过烧结来制作。但是，具有开口的陶瓷生片在压接时容易变形。

因此，专利文献1公开了一种带有空腔的多层陶瓷基片的制造方法，其中，在制作陶瓷生片层叠体时，在要成为空腔的底部的位置夹入剥离层，在预烧(脱粘合剂处理)之前或者之后，从层叠体的一个主面插入到达剥离层的切口，除去生片的与空腔相当的部分，之后烧结成带有空腔的多层陶瓷基片。

另外，专利文献2公开了一种带有空腔的多层陶瓷基片的制造方法，其中在制作陶瓷生片层叠体时，在要成为空腔的底部的位置夹入烧尽材料层，在层叠体的烧制之前或者之后，从层叠体的一个主面进行槽加工，由此在烧制时烧尽材料层烧尽而形成内部空间，能够除去空腔部分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-358247号公报

专利文献2：日本特开2003-273267号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，根据本申请的发明人的研究，发现在专利文献1、2的方法中，存在不容易形成空腔的情况。本发明的目的在于提供一种能够容易地形成空腔，在量产性上优越的多层陶瓷基片的制造方法。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的多层陶瓷基片的制造方法，包括：步骤(A)，准备配置有热膨胀层的第一陶瓷生片和没有配置热膨胀层的至少一个第二陶瓷生片；步骤(B)，夹着上述热膨胀层地层叠上述第一陶瓷生片和上述第二陶瓷生片，得到生片层叠体；步骤(C)，使上述生片层叠体的上述第一陶瓷生片和上述至少一个第二陶瓷生片相互压接；步骤(D)，在被压接了的上述生片层叠体中，对上述热膨胀层加热，使上述热膨胀层至少在厚度方向上膨胀；步骤(E)，去除上述生片层叠体中的因上述热膨胀层的膨胀而位移了的部分，在上述生片层叠体形成空腔；和步骤(F)，将形成有上述空腔的生片层叠体烧结。

在上述步骤(D)中，可以在比上述步骤(C)的压接时的温度高的温度下保持上述热膨胀层。

上述热膨胀层可以含有通过加热能够使厚度以2倍以上的比例增大的热膨胀材料。

上述热膨胀层可以是包含热膨胀性微囊的膏体层，上述热膨胀性微囊是内包有常温下为液体的碳化氢的热塑性树脂制的热膨胀性微囊。

在上述步骤(C)与上述步骤(D)之间还可以包括：在上述生片层叠体形成具有上述生片层叠体的上述空腔的深度的用于规定上述空腔的外形的槽的步骤。

在上述步骤(E)中，可以除去上述热膨胀层。