[发明专利]用于有机膜的化学机械研磨研浆组成物、其制备方法以及使用其的研磨有机膜的方法有效
申请号: | 201680047980.8 | 申请日: | 2016-07-21 |
公开(公告)号: | CN107922819B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 都均奉;金东珍;郑荣哲;兪龙植;崔正敏 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14;B24B37/04;H01L21/306;H01L21/321 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 陶敏;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明是有关于一种用于有机膜的化学机械研磨研浆组成物、其制备方法以及使用其的研磨有机膜的方法,化学机械研磨研浆组成物包括氧化剂及溶剂。本发明的有机膜的化学机械研磨研浆具有通过方程式(1)所呈现的为约5°至90°的Δθ |
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搜索关键词: | 用于 有机 化学 机械 研磨 组成 制备 方法 以及 使用 | ||
【主权项】:
一种CMP研浆组成物,包括氧化剂及溶剂,其中所述CMP研浆组成物具有通过方程式(1)所计算的为5°至90°的水接触角变化Δθw,在将涂布有有机膜而待研磨的晶圆浸渍于所述CMP研浆组成物中10小时之后所测量:方程式(1):水接触角变化(Δθw)=|θ1‑θ2|,在方程式(1)中,θ1表示通过在将涂布有所述有机膜的所述晶圆浸渍于所述CMP研浆组成物中之前将去离子水(DIWATER)滴至所述有机膜的表面上所测量的所述有机膜的水接触角,且θ2表示通过在将所述晶圆浸渍于所述CMP研浆组成物中10小时之后将去离子水(DIWATER)滴至所述有机膜的表面上所测量的所述有机膜的水接触角。
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