[发明专利]搭载二次电池的芯片的制造方法

摘要

提供一种能够在多个芯片上同时且均匀地制造氧化物半导体二次电池的制造方法。其为在电路上层叠有层叠第一电极(52)、充电功能层(54、56、58)和第二电极(60)而成的氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，具备层叠工序，其相对于对应于形成于晶片(20)上的多个芯片22的各芯片(22)的区域不是单个地形成氧化物半导体二次电池、而是相对于对应于多个芯片(22)的区域一体地层叠并形成氧化物半导体二次电池；以及，分割工序，其相对于一体地形成的氧化物半导体二次电池，进行保留对应于各芯片(22)的区域、除去不对应于各芯片(22)的其它区域的图案蚀刻，从而分隔为对应于各芯片(22)的单个氧化物半导体二次电池(50‑1、50‑2)。

主权项

一种搭载有氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其为在电路上层叠有层叠第一电极、充电功能层和第二电极而构成的氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其特征在于，具备：层叠工序，相对于对应于形成于晶片上的多个芯片的各芯片的区域不是单个地形成氧化物半导体二次电池、而是相对于对应于所述多个芯片的区域一体地层叠并形成氧化物半导体二次电池；以及，分割工序，相对于一体地形成的所述氧化物半导体二次电池，进行保留对应于所述各芯片的区域、除去不对应于所述各芯片的其它区域的图案蚀刻，分割为对应于所述各芯片的单个氧化物半导体二次电池。