[发明专利]搭载二次电池的芯片的制造方法

权利要求书

1.一种搭载有氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其为在电路上层叠有层叠第一电极、充电功能层和第二电极而构成的氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其特征在于，具备：

层叠工序，相对于对应于形成于晶片上的多个芯片的各芯片的区域不是单个地形成氧化物半导体二次电池、而是相对于对应于所述多个芯片的区域一体地层叠并形成氧化物半导体二次电池；以及，

分割工序，相对于一体地形成的所述氧化物半导体二次电池，进行保留对应于所述各芯片的区域、除去不对应于所述各芯片的其它区域的图案蚀刻，分割为对应于所述各芯片的单个氧化物半导体二次电池。

2.根据权利要求1所述的搭载有氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其特征在于，具备：

第一电极连接线形成工序，该第一电极连接线将所述第一电极与形成于所述各芯片的第一电极垫连接；以及，

第二电极连接线形成工序，该第二电极连接线将所述第二电极与形成于所述芯片的不同于所述第一电极垫的第二电极垫连接。

3.根据权利要求1所述的搭载有氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其特征在于，具备：

第一电极形成工序，经由绝缘层在所述各芯片上形成所述第一电极；以及，

第一电极连接线形成工序，经由所述绝缘层的通孔形成第一电极连接线，该第一电极连接线将所述第一电极连接于所述各芯片的第一电极垫，

所述第一电极形成工序和所述第一电极连接线形成工序同时进行。

4.根据权利要求1所述的搭载有氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其特征在于，具有第一平坦化工序，在经由形成于所述各芯片上的绝缘层在所述各芯片上形成所述第一电极之前，对所述绝缘层进行平坦化。

5.根据权利要求3所述的搭载有氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其特征在于，具有第二平坦化工序，在同时进行所述第一电极连接线形成工序和所述第一电极形成工序之后加厚所述绝缘层的膜厚，从而覆盖所述第一电极垫且使所述绝缘层和所述第一电极的高度差平坦化。

6.根据权利要求1所述的搭载有氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其特征在于，具备第二电极连接线形成工序，在所述分割工序之后、将所述第二电极连接于形成在所述芯片的不同于第一电极垫的第二电极垫。

7.根据权利要求3所述的搭载有氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其特征在于，进行：

在所述各芯片上形成绝缘层的绝缘层形成工序、

对所述绝缘层进行平坦化的工序、和

在所述绝缘层形成与所述各芯片连通的开口部的开口部形成工序，

在所述绝缘层上和所述开口部形成第一电极图案，从而同时进行所述第一电极形成工序和所述第一电极连接线形成工序。

8.根据权利要求1所述的搭载有氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其特征在于，所述充电功能层通过如下工序而形成：

n型金属氧化物半导体形成工序，在所述第一电极上形成n型金属氧化物半导体层；

充电层形成工序，在所述n型金属氧化物半导体层上形成在绝缘体中填充有n型金属氧化物半导体的充电层；以及

p型金属氧化物半导体层形成工序，在所述充电层上形成p型金属氧化物半导体层。

9.根据权利要求1所述的搭载有氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其特征在于，所述第二电极和所述芯片的连接通过如下进行：

钝化膜形成工序，在形成所述第二电极后、在覆盖包含所述第二电极的所述单个氧化物半导体二次电池的区域形成绝缘性的钝化膜；

除去工序，将对应于所述第二电极的区域和对应于连接所述第二电极的所述各芯片的区域的所述钝化膜除去；以及，

第二电极连接线形成工序，在通过所述除去工序除去所述钝化膜的区域形成连接有所述第二电极和所述各芯片的第二电极连接线图案。

10.根据权利要求8所述的搭载有氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其特征在于，所述充电层通过涂布含有脂肪酸钛和硅油的药液并烧成而形成。

11.根据权利要求10所述的搭载有氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，其特征在于，对通过烧成而形成的所述充电层照射紫外线。