[发明专利]光电子器件、光电子器件复合件和制造光电子器件的方法在审

专利信息
申请号: 201680042673.0 申请日: 2016-07-13
公开(公告)号: CN107851695A 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 大卫·欧布里安;西格弗里德·赫尔曼 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/64;H01L33/62
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 丁永凡,张春水
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种光电子器件(100),所述光电子器件具有半导体芯片(1),所述半导体芯片设计用于至少经由辐射主面(11)发射辐射(5);转换元件(2),所述转换元件设置在半导体芯片(1)的光路中;封装元件(3),所述封装元件具有覆盖元件(31)和侧部元件(32),并且形成用于转换元件(2)免受环境影响的至少一个封闭部,其中覆盖元件(31)设置在转换元件(31)之上,并且侧部元件(32)在横截面中相对于半导体芯片(1)和转换元件(2)横向地设置,并且包围半导体芯片(1),其中侧部元件(32)和覆盖元件(31)至少局部地直接接触,其中侧部元件(32)具有至少一种金属。
搜索关键词: 光电子 器件 复合 制造 方法
【主权项】:
一种光电子器件(100),所述光电子器件具有:‑半导体芯片(1),所述半导体芯片设计用于至少经由辐射主面(11)发射辐射(5),‑转换元件(2),所述转换元件设置在所述半导体芯片(1)的光路中,‑封装元件(3),所述封装元件具有覆盖元件(31)和侧部元件(32),并且形成用于所述转换元件(2)免受环境影响的至少一个封闭部,其中所述覆盖元件(31)设置在所述转换元件(31)之上,并且所述侧部元件(32)在横截面中相对于所述半导体芯片(1)和所述转换元件(2)横向地设置,并且包围所述半导体芯片(1),其中所述侧部元件(32)和所述覆盖元件(31)至少局部地直接接触,其中所述侧部元件(32)具有至少一种金属,并且在横向方向上直接与所述转换元件(2)接触。
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