[发明专利]光电子器件、光电子器件复合件和制造光电子器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光电子器件。本发明还涉及一种光电子器件的复合件。此外，本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法。

背景技术

光电子器件通常具有转换元件，所述转换元件例如能够将由半导体芯片发射的辐射转换成具有改变的波长的辐射。所述转换元件当然通常是湿气敏感的、氧气敏感的和/或温度敏感的。因此，，所述转换元件必须相对于环境影响和/或高温影响受到保护。

发明内容

本发明的目的是：提供一种稳定的光电子器件。特别地，本发明的目的是：提供一种具有转换元件的光电子器件，所述转换元件相对于环境影响和/或温度影响受到保护。此外，本发明的目的是：提供一种稳定的光电子器件的复合件。此外，本发明的目的是：提供一种用于制造稳定的光电子器件的方法。

所述目的通过根据独立权利要求1的光电子器件来实现。本发明的有利的设计方案和改进形式是从属权利要求的主题。此外，所述目的通过根据权利要求11的光电子器件的复合件来实现。复合件的有利的设计方案是从属权利要求12的主题。此外，所述目的通过根据独立权利要求13的用于制造光电子器件的方法来实现。方法的有利的设计方案和改进形式是从属权利要求14和15的主题。

在至少一个实施方式中，光电子器件具有半导体芯片。半导体芯片设计用于至少经由半导体芯片的辐射主面发射辐射。光电子器件具有转换元件。转换元件设置在半导体芯片的光路中。转换元件尤其相对于环境影响和/或温度影响是敏感的。光电子器件具有封装元件。封装元件具有覆盖元件和侧部元件。封装元件形成用于转换元件免受环境影响的至少一个封闭部。附加地，封装元件能够至少相对于温度、尤其超过80℃的高温保护转换元件，使得防止转换元件的退化。覆盖元件设置在转换元件之上。侧部元件在横截面中相对于半导体芯片和转换元件横向地设置。

特别地，侧部元件直接包围半导体芯片。侧部元件和覆盖元件至少局部彼此接触。特别地，侧部元件和覆盖元件至少局部直接彼此接触。侧部元件具有至少一种金属。替选地或附加地，侧部元件在横向方向上直接与转换元件接触。

根据至少一个实施方式，器件具有半导体芯片。半导体芯片包括半导体层序列。半导体芯片的半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料优选为氮化物化合物半导体材料，，如Al_nIn_1-n-mGa_mN，或者也是磷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mP，其中分别有0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。同样地，半导体材料能够是Al_xGa_1-xAs，其中0≤x≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而，为了简单性仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。

半导体层序列包含具有至少一个pn结和/或一个或多个量子阱结构的有源层。在半导体芯片运行时，在有源层中产生电磁辐射。半导体芯片因此设计用于发射辐射。特别地，经由半导体芯片的辐射主面发射辐射。特别地，辐射主面垂直于光电子器件的半导体层序列的生长方向定向。辐射的波长或辐射的波长最大值优选位于紫外和/或可见和/或红外光谱范围中，尤其处于在420nm和800nm之间、例如在440nm和480nm之间的波长中，其中包括边界值。

根据至少一个实施方式，半导体芯片是发光二极管，简称LED。半导体芯片于是优选设计用于发射蓝光、绿光、红光或白光。

根据至少一个实施方式，器件具有转换元件。转换元件设置在半导体芯片的光路中。特别地，转换元件与半导体芯片直接机械和/或电和/或热接触地设置。特别地，转换元件直接设置在半导体芯片的辐射主面上。

替选地，转换元件也能够与半导体芯片的辐射主面间隔开。例如，在转换元件和辐射主面之间能够设有另外的层，例如粘胶层。

“直接邻接”或“直接地”在此能够表示一个器件与另一器件的间接的电的、机械的和/或热的接触。在此，于是例如能够在侧部元件和转换元件之间存在另外的元件，如封装部、中间层或气隙。

替选地，“直接邻接”或“直接地”在此能够表示一个器件与另一器件的直接的电的、机械的和/或热的接触。在此，于是至少局部地在两个元件之间不存在另外的元件。