[发明专利]被膜

摘要

位于基材表面上的被膜中的至少一个层是由组成不同的至少两个晶畴形成的晶畴结构层。当将存在于晶畴结构层中的多个第一晶畴中的每一个的尺寸定义为与第一晶畴接触的各个虚拟外接圆的直径，并且将各个第一晶畴的最近邻距离定义为连接一个外接圆的中心和与另一相邻的外接圆的中心的直线距离中的最短距离时，第一晶畴的平均尺寸为1nm以上10nm以下，并且第一晶畴的平均最近邻距离为1nm以上12nm以下。95％以上的第一晶畴的尺寸在平均尺寸的±25％的范围内。95％以上的第一晶畴的最近邻距离在平均最近邻距离的±25％的范围内。

主权项

一种位于基材表面上的被膜，该被膜包括：一个或多个层，所述层中至少一层是由组成不同的两个或多个晶畴构成的晶畴结构层，作为所述两个或多个晶畴中的两种晶畴的第一晶畴和第二晶畴，由选自由Al、B、Si和元素周期表中第4、5、6族的元素构成的组中的至少一种元素和选自由B、O、C和N构成的组中的至少一种元素组成，所述晶畴结构层中存在多个所述第一晶畴，当将所述晶畴结构层的面内方向中的各个所述第一晶畴的尺寸定义为与所述各个第一晶畴接触的虚拟外接圆的直径，并且将所述晶畴结构层的面内方向中的各个所述第一晶畴的最近邻距离定义为连接所述外接圆的中心和另一与所述外接圆相邻的外接圆的中心的最短直线的长度时，所述各个第一晶畴的尺寸平均值为1nm以上10nm以下，并且所述各个第一晶畴的最近邻距离平均值为1nm以上12nm以下，95％以上的所述第一晶畴的尺寸在所述尺寸平均值的±25％以内的范围内，并且95％以上的所述第一晶畴的最近邻距离在所述最近邻距离平均值的±25％以内的范围内。