[发明专利]被膜有效

专利信息
申请号: 201680041492.6 申请日: 2016-07-06
公开(公告)号: CN107849683B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 内海庆春;佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格;津田圭一;康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯;丹尼尔·冈纳·马根法尔特 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社;敏斯材料公司
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 常海涛;高钊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 被膜
【权利要求书】:

1.一种位于基材表面上的被膜,该被膜包括:

一个或多个层,

所述层中至少一层是由组成不同的两个或多个晶畴构成的晶畴结构层,

作为所述两个或多个晶畴中的两种晶畴的第一晶畴和第二晶畴,由选自由Al、B、Si和元素周期表中第IVB、VB、VIB族的元素构成的组中的至少一种元素和选自由B、C和N构成的组中的至少一种元素组成,其中当前一组包含B时,后一组不包含B,即,当在各个组成中包含被分组在前一组中的B时,则不包含被分组在后一组中的B,并且当包含被分组在后一组中的B时,则不包含被分组在前一组中的B,所述IVB族元素包括Ti、Zr、Hf,所述VB族元素包括V、Nb、Ta,所述VIB族元素包括Cr、Mo、W,

所述晶畴结构层中存在多个所述第一晶畴,

当将所述晶畴结构层的面内方向中的各个所述第一晶畴的尺寸定义为与所述各个第一晶畴接触的虚拟外接圆的直径,并且将所述晶畴结构层的面内方向中的各个所述第一晶畴的最近邻距离定义为连接所述外接圆的中心和另一与所述外接圆相邻的外接圆的中心的最短直线的长度时,所述各个第一晶畴的尺寸平均值为1nm以上10nm以下,并且所述各个第一晶畴的最近邻距离平均值为1nm以上12nm以下,

95%以上的所述第一晶畴的尺寸在所述尺寸平均值的±25%以内的范围内,并且

95%以上的所述第一晶畴的最近邻距离在所述最近邻距离平均值的±25%以内的范围内。

2.根据权利要求1所述的被膜,其中,

所述晶畴结构层由所述第一晶畴和所述第二晶畴构成。

3.根据权利要求1或2所述的被膜,其中,

所述第一晶畴和所述第二晶畴中的一者由至少包含Al但不包含Ti的氮化物组成,并且所述第一晶畴和所述第二晶畴中的另一者由至少包含Al和Ti的氮化物组成。

4.根据权利要求3所述的被膜,其中

所述第一晶畴和所述第二晶畴中的一者由AlN组成,并且所述第一晶畴和所述第二晶畴中的另一者由AlxTi1-xN组成,其中所述AlxTi1-xN中Al和Ti的原子比Al/Ti为1以上1.5以下。

5.根据权利要求1或2所述的被膜,其中

所述第一晶畴和所述第二晶畴中的一者由至少包含Al但不包含Ti的氮化物组成,并且所述第一晶畴和所述第二晶畴中的另一者由至少包含Ti但不包含Al的氮化物组成。

6.根据权利要求5所述的被膜,其中

所述第一晶畴和第二晶畴中的一者由AlN组成,并且所述第一晶畴和所述第二晶畴中的另一者由TiN组成。

7.根据权利要求3所述的被膜,其中

整个所述晶畴结构层中的Al和Ti的原子比Al/Ti超过1.5。

8.根据权利要求1或2所述的被膜,其中

所述第一晶畴和第二晶畴由至少包含Al和Ti的氮化物组成,

所述第一晶畴和所述第二晶畴中一者的Al和Ti的原子比Al/Ti为1以上,并且所述第一晶畴和所述第二晶畴中另一者的Al和Ti的原子比Al/Ti低于1。

9.根据权利要求1或2所述的被膜,其中

所述第一晶畴和第二晶畴是结晶的。

10.根据权利要求1或2所述的被膜,其中

所述第一晶畴和第二晶畴的晶体结构为立方NaCl型。

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