[发明专利]快速热处理设备有效
| 申请号： | 201680040232.7 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN107836038B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 石昌吉;孔大永;宋汶奎;徐圭澈 | 申请（专利权）人： | 株式会社优泰科 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/324;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 李琳;王建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种快速热处理设备包括：室，其用于快速热处理；支撑台，其布置在室的内下侧上，以支撑和旋转经受快速热处理的基板；热源装置，其布置在室的内上侧上，以使光直射在经受快速热处理的基板处，以快速加热基板；用于温度测量的基板，其与经受快速热处理的基板的一部分向上间隔开，并由与经受快速热处理的基板的材料相同的材料形成；热电偶，其用于温度测量，安装在用于温度测量的基板上，以测量用于温度测量的基板的温度；支撑部件，其由透光材料形成，支撑用于温度测量的基板；以及透光板，其布置在支撑部件与热源装置之间，以使室的相对内部空间彼此隔离，其中，由热电偶测量的用于温度测量的基板的温度被认为是经受快速热处理的基板的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 热处理 设备 | ||
【主权项】：
一种快速热处理设备，包括：室，其用于快速热处理；支撑台，其布置在室的内下侧上，并且支撑和旋转用于快速热处理的基板；热源装置，其布置在室的内上侧上，并且辐射光，以快速加热用于快速热处理的基板；用于温度测量的基板，其在用于快速热处理的基板的一部分之上以一个距离分开放置，并且由与用于快速热处理的基板相同的材料制成；热电偶，其用于温度测量，安装在用于温度测量的基板处，以测量用于温度测量的基板的温度；支撑部件，其由透光材料形成，支撑用于温度测量的基板；以及透光板，其布置在支撑部件与热源装置之间，以隔离室的两个内部空间部分，其中，由热电偶测量的用于温度测量的基板的温度被认为是用于快速热处理的基板的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
