[发明专利]针对碳化硅超结功率装置的有源区设计在审
| 申请号： | 201680037599.3 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107810558A | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | P.A.罗西;A.V.博罗特尼科夫;R.甘地 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/808;H01L29/872;H01L21/337;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 郑浩,刘春元 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本说明书中公开的主题涉及碳化硅(SiC)功率装置，并且更确切地说，涉及SiC超结(SJ)功率装置的有源区设计。SiC‑SJ装置包括具有一个或多个电荷平衡(CB)层有源区。每个CB层包括具有第一导电型的半导体层和设置在所述半导体层表面中具有第二导电型的多个浮置区。所述多个浮置区和所述半导体层均被配置成大体上耗尽以在反偏压施加至所述SiC‑SJ装置时提供来自离子掺杂剂的大体上等量的电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 碳化硅 功率 装置 有源 设计 | ||
【主权项】：
一种碳化硅(SiC)超结(SJ)装置，包括：有源区，所述有源区包括一个或多个电荷平衡(CB)层，其中每个CB层包括：具有第一导电型的半导体层；以及设置在所述半导体层的表面中具有第二导电型的多个浮置区，其中所述多个浮置区和所述半导体层均被配置成大体上耗尽，以在反偏压施加至所述SiC‑SJ装置时提供来自离子掺杂剂的大体上等量的电荷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司，未经通用电气公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680037599.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
