[发明专利]光电转换装置有效
| 申请号： | 201680035963.2 | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN107710420B | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 原田真臣;东贤一;神川刚;酒井敏彦;国吉督章;辻埜和也;邹柳民 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光电转换装置，其特征在于，包括：/n半导体基板；/n第一非晶质半导体部，其形成于所述半导体基板的一侧的面；/n第二非晶质半导体部，其形成于所述半导体基板的所述一侧的面，且在所述半导体基板的面内方向与所述第一非晶质半导体部相邻地形成；/n多个第一电极，其配置于所述第一非晶质半导体部之上；以及/n多个第二电极，其配置于所述第二非晶质半导体部之上；/n所述第一非晶质半导体部配置在与所述面内方向不同的一个方向，且具有多个第一非晶质半导体层，其中，所述多个第一非晶质半导体层具有第一导电类型；/n所述第二非晶质半导体部配置在所述一个方向，且具有多个第二非晶质半导体层，其中，所述第二非晶质半导体层具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；/n在所述多个第一非晶质半导体层的每一个之上，配置有多个所述第一电极中的一部分的多个所述第一电极；/n在所述多个第二非晶质半导体层的每一个之上，配置有多个所述第二电极中的一部分的多个所述第二电极。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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